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PSp i ce电路特性仿真报告 —晶体管单管放大电路 第一部分概述 本仿真实验电路为分压式基本共射放大电路，通过OrCAD 9. 2软 件进行电路仿真，分别进行直流工作点分析（Bias Point）、直流特 性扫描分析（DC Sweep）、交流小信号频率特性分析（AC Sweep）、瞬 态特性分析（Transient Analysis）、参数扫描分析（Parametric Analysis)o 第二部分理论分析 电路简介 1 ?分压式偏置电路的组成 本仿真实验电路为分压式基本共射放大电路，原理图如下。电路 中晶体管为Q2N2222型（3=150, r点二300Q）。它的偏置电路采用 阳和血组成的分压电路，将电源电压Vn分压后加至晶体管基极，固 定基极电位。在发射极接有电阻际、心2,以构成电流串联负反馈稳 定放大器的静态工作点，旁路电容Ce减小了交流负反馈电阻对电压增 益的影响。当在放大器的输入端加入正弦输入信号w后，在放大器的 输出端便可得到一个与X相位相反，幅值被大幅度放大的输出信号 Vo,从而实现了电压放大的功能。 2?静态工作点稳定原理 分压式偏置放大电路的直流通路如图a所示。当温度升高，7C 随着升高，Ie也会升高，电流7E流经射极电阻Re产生的压降5也升 高。又因为Ube=Ub-Uk,如果基极电位5是恒定的，且与温度无关，则 Ube会随Ue的升高而减小，Ib也随之自动减小，结果使集电极电流7C 减小，从而实现Ic基本恒定的目的。静态工作点稳定过程可表示为: T Tt Ic Tt Ie Tt Ue T %叫厂仇且S恒至〉Ube J JB — Ic J C2u— 宓為? *FREQ ■ ,00010m 宓為? * FREQ ■ ,000 理论计算 1.静态分析 Ub—ucc =Rb1 + Rb2 Ub —ucc = Rb1 + Rb2 兀一兀E Rb+(1+0)(Re、+Re2) 3.169-0.7 56 + (1 + 150)(0.02 + 2) mA = 0.00684m?4 ICQ = j3 l^ = l50x0.006S4mA = l,06mA r, =300 + — Q = 4.101 也 ” 0.00684 2.动态分析 “座皿—4.36 f 族+(1+0応 第三部分仿真结果 一.直流工作点分析(Bias Point) 1 154mAVoc1 407mA2129uA 1 154mA Voc 1 407mA 2129uA 1 154mAC211 1 154mA C2 11 1X 1 202mARE1RL8k1 202mACE220u 1 202mA RE1 RL 8k 1 202mA CE 220u 备注：如果I?Ib(I为流经Rb】、Rb2的电流),才可近似认为基极电位 R Ur= I Ucc。但是在实际情况中并不能保证I?Ib, Rb\ + Rb2 故基极电位与理论值有一定误差。(下同) 二.直流特性扫描分析(DC Sweep) 参数设置: 结果图: V Vcc 由上图可知,Ucc=15V, Ub=3. 0766V 交流小信号频率特性分析(AC Sweep) 参数设置： 下图为Vo/Vi的频率特性曲线，可知电压增益Ay为92?34 100- 测量带宽 Frequency 输出电压瞬态特性分析(Transient Analysis) 参数设置: Simulation Settings ? mysim 结果图: Tim 输出电压参数扫描分析(Parametric Analysis) 参数设置: Add New Column Enter ■ nene end click Apply or OK to add ■ column/row to the property editor and optionally the current filter (but not the ^Current properties^ filter). Ro properties will be added to selected objects until you enter value here or in the newly created cells in nrAn^r?v I nr nr ApplyOK Apply OK | : CtncJ | Xtlp Sitnulation Settings ? mysimOptionsGeneral Sitnulation Settings ? mysim Options General Analysis type： I Data Collection | Probe Window Analysis | Include Files | Libraries | Stimu