中国科大半导体器件物理课件2.ppt

半导体器件物理 第二章 p-n结 §2.1 pn结基本原理 §2.2 耗尽区和耗尽层电容 §2.3 pn结的直流特性 §2.4 pn结的瞬态特性 §2.5 pn结击穿 §2.6 异质结与高低结 §2.1 pn结的基本原理 PN结简介 热平衡下的pn结 耗尽近似条件 PN结简介 pn结作为整流、开关及其他用途的器件，同时也是半导体微波器件及光电器件的基本结构，也是双极型晶体管、可控硅整流器和场效应晶体管的基本组成部分。 pn结最重要的性质是整流效应，即只允许电流一个方向通过。 典型的伏安特性：加正向偏置电压时，电流随偏压的增加而迅速增大，通常正向偏压1V。加反向偏压时，开始时几乎没有电流，反向电压增加时，电流一直很小。当电压加到一个极限值时，电流突然增加，这种现象称为结击穿，反向击穿电压大约10V～10KV，与掺杂及器件其他参数有关。 理想二极管 平面工艺中主要工序 （1）外延生长 （2）氧化 （3）扩散 （4）离子注入 （5）光刻 ? 晶体生长与外延 —从熔体中生长单晶：直拉法(Si)和布里奇曼法(GaAs) 原材料：石英砂 SiC(固体)+SiO2(固体)?Si(固体)+SiO(气体)+CO(气体) 冶金级硅 电子级硅（ppb量级） 硅片成形:前处理?切片?双面研磨?抛光 —外延：除常规外延工艺(如气相外延VPE)外，还有液相生长法（广泛应用于化合物半导体）及绝