双极性晶体管发射区注入效率的计算.docxVIP

双极晶体管发射极注入效率的计算 摘要：双极型晶体管发射极注入效率的计算，应该把重掺杂效应引起的杂质带导和能带尾部的延伸考虑进来。研究发现在很多情况下这些效应对晶体管电流增益的限制作用比发射极中少数载流子的寿命更强。?这使得我们应该定义一个发射极的有效杂质分布，应用于电流输运的运算中。?本文研究了发射极和基极的杂质分布对电流增益的影响，实验结果表明已知的杂质分布足以预测一维情况下的电流增益。 符号 A发射极面积 基质浓度 电子的扩散系数 空穴的扩散系数 电子扩散系数的品均值 空穴扩散系数的品均值 电子电流 空穴电流 电子电流密度 空穴电流密度 波尔兹曼常数 电子浓度 本征载流子浓度 施主浓度减去受体浓度 施主浓度 受主浓度 表面施主浓度 表面受主浓度。 空穴浓度 平衡态空穴浓度 过剩空穴浓度 发射极-基极结深度 发射极准中性区域发射极-基极空间电荷区之间的边界 基极-集电极结的深度 电荷量 总的发射区有效杂质浓度 总的基区杂质浓度 热力学温度 发射极-基极电压。 基极-集电极电压。 基地输运因子 仅仅有发射极效率决定的共发射极电流增益 共发射极电流增益的理论值 共发射极电流增益实验值 发射机效率 空穴寿命 总电场值 1.引言 现代平面型晶体管的共发射极电流增益，在中间电流不是很大的情况下，主要是由发射极的注入效率来决定的，所以： （1） 有关的表达式已经被很多人推导过[1][3]，但是计算值总是比测量值大。只有当假设发射极中载流子的寿命为纳秒时，才得到一个适合的电流增益的经验值[4][5]。但是，数值计算[6]表明，这些低寿命使得小电流时空间电荷区的复合电流增加，预示着一个小的电流增益比测量值下降的更快。作为一个例子，惠蒂尔和??唐宁[7]假定当掺杂浓度大于时，磷原子变成非常活跃的复合中心。这将增加发射极的空穴电流，从而降低电流增益。?这是因为，低的载流子寿命仅仅在载流子接近的发射极-基极结时对产生严重的影响，因为它的存在使过剩少数载流子被存储。 最近对电流增益由决定性影响的另一个重要性因素被发射，经过几位作者的工作，这一因素已经被归纳成一个可被应用的理论。 首先，Kaufmann and Bergh [8] andBuhanan[9]推导出发射极重掺杂时禁带宽度会变窄，这是为了解释对温度的依赖关系。文献[10]中给出的禁带宽度变窄的测量值被DeMan [11] 用于与计算电流增益，并预测出一个最优的掺杂水平。 但是，这一预测值仍比实际测量值大二到四倍。?然而，最近的Kleppinger and Lindholm [12] and theauthors [13] 对重掺杂硅的能带结构和输运方程的研究表明，由于杂质能带的存在和能带边沿的延伸，不仅是禁带变窄，状态密度也发生很大的变化，这些因素也要考虑进来。 本文的目的是使用新载子输运方程[13]来计算发射极注入效率和发射极中电荷与电场的分布。研究表明载流子的寿命并不限制电流增益，并且发现在重掺杂情况下，已知的杂质分布可以近似预测一维情况下的电流增益 ?2.发射极中的电场讨论 重掺杂效应的主要作用可以引入一个有效本征载流子浓度来描述。的值与掺杂情况和补偿程度有关，在文献[13]中计算。（在本文中作者始终以磷作为施主杂质，硼作为受主杂质。）研究结果发现 比大。的比值随掺杂水平和补偿程度的增加而增加。考虑依赖于掺杂的有效有效载流子浓度，文献[13]对发射极中的空穴电流方程进行了修改，得到： （2） （3） 其中，，。从式（2）和式（3）可以看到重掺杂效应使作用于少子的电场发生改变。这一电场由两部分构成。第一部分 这部分称为附加电场[14],用来描述重掺杂效应。第二部分 对应于自建电场。 图1中上方的图给出了三个不同表面浓度下，发射极杂质的分布。三个晶体管基区杂质的分布和结深被认为是相同的。施主杂质和施主杂质被假定遵从高斯分布。?图1下方的图给出了对应于三个分布下电场的值。虚线表示如果重掺杂效应被忽略的电场值。 从这个图中，我们得出结论，重掺杂效果对电场的退化有非常强烈影响，通过附加电场来实现的。越小，重掺杂对电场的影响越剧烈。附件电场的方向与由杂质浓度产生的自建电场方向相反（如图1中的虚线），帮助少数载流子到达发射极。我们同样可以看到修订的电场与发射区杂质的分布有关。发射区的掺杂浓度越大，附加电场越大。因此这造成了的减小，将在下一节讨论。 3.发射极注入效率的计算 由发射极注入效率决定的电流增益定义为发射极-集电极结的电子电流与空穴电流的比值。?对于一个现代晶体管，基极载流子的寿命远远大于载流子的渡越时间，它可以达到数量级。因此，基极的复合可以忽略，得到： （4） 但是在发射极，必须考虑重掺杂效应。