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NANO COMMUNICATION 23 No.4
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Effects of Annealing Process on RF poly-Si
TFTs with Various Channel Wire Widths
:
:
Abstract
The high-frequency performance of trigate polycrystalline silicon thin-film transistors (poly-
Si TFTs) with different annealing methods, rapid thermal annealing (RTA) or low-temperature
microwave annealing (MWA) are investigated. MWA exhibits sufficient dopant activation
efficiency, suppressed punch-through characteristics and good short channel effect control
of poly-Si TFTs than does rapid thermal annealing. In addition, the variation of the cutoff
f f
frequency ( T) and the maximum oscillation frequency ( max) with the width of the channel wire
( W0) is also investigated. A poly-Si TFT with a short channel and a narrow channel wire, annealed
using microwave, has a high driving current, a good gate controllability, and a better high-
frequency performance than that annealed by rapid thermal annealing.
Keywords
Microwave Annealing (MWA) Poly-Si TFTs Cutoff Frequency
3
16
200 nmn+
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