载流子的扩散运动.pptxVIP

半导体物理 载流子的扩散运动 ;扩散;非平衡载流子扩散;空穴扩散运动;扩散定律 ;一维条件下稳态方程扩散方程;一维稳态方程的普遍解： 其中 Lp标志着非平衡载流子深入样品的平均距离，成为扩散长度。 ;样品足够厚：x趋于无穷大， p=0。因此，B=0。即：当x=0时， ，将他带入上式，得到A=扩散流密度:;样品厚度一定： 样品厚度为W，在x=w处， p=0，x=0处， 将两个条件带入稳态方程普遍解得到： 两方程联立得到： ;当W远小于p时，上???可简化为： 浓度梯度： 扩散流密度： ;三维情况下浓度梯度矢量为 。载流子在各个方向的扩散系数相同，扩散定律的形式： 单位体积内空穴的率： 单位时间在单位体积内由于复合而消失的空穴数： ;扩散电流密度;球坐标下空穴扩散运动;上式与样品足够厚扩散密度相比较： 探针注入扩散密度式子中多了一项 表明离子注入效率要高很多。 原因为:平面情况下，浓度梯度完全依靠载流子进入半导体内的复合；球对称情况下，径向运动引起载流子的疏散，造成浓度梯度增强扩散效率。 几何形状引起的扩散远超过复合所引起的扩散。; 谢谢观看