第十四章 半导体器件.pptVIP

* 4. 集电极最大电流ICM ICM：集电极电流IC上升导致三极管?值下降，当? 值下降至正常值2/3时的集电极电流。 5. 集-射极反向击穿电压 当集射极间的电压UCE超过UBR(CEO)，三极管被击穿。 6. 集电极最大允许功耗PCM PCM取决于三极管允许的温升，P消耗过大，温升过高会烧坏三极管。 PC ? PCM =ICM UCE * IC UCE ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作区 由三个极限参数可画出三极管的安全工作区 * 半导体三极管命名的国家标准: 3 D G 110 B 第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管 第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、 G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管 用字母表示材料 用字母表示器件的种类 用数字表示同种器件型号的序号 用字母表示同一型号中的不同规格 三极管 半导体三极管的型号 * 14. 5 光电器件 符号 14.5.1 发光二极管(LED) 外加正向电压具有足够的正向电流时，发出一定波长范围的光。 LED工作电压：1.5～3V，工作电流：几～十几mA。 * 14.5.2