第7章 半导体器件基础.pptVIP

内容提要 7.1 半导体的基础知识 通过现代工艺，把一块本征半导体的一边形成P型半导体，另一边形成N型半导体，两种半导体的交界处就形成PN结。 综上所述，PN结正偏时导通，呈现很小的电阻，形成较大的正向电流；反偏时截止，呈现很大的电阻，反向电流近似为零。PN结具有单向导电特性。 PN结除具有单向导电性以外，还具有击穿特性、电容特性、温度特性。 (1). 正向特性 ? 加正向电压小，电流极小（几乎为零），这一部分称为死区（死区/门槛/阈值电压)，OA(OA′) 硅管：0.5V，锗管：0.1V。 正向电压死区电压，正向电流急剧增大，二极管导通。二极管的正向导通压降UVD (on) ： 硅管：0.6~0.8V，锗管：0.1~0.3V 通常：硅管：UVD (on)=0.7V，锗管：UVD (on)= 0.3V。 (2). 反向特性 加反向电压时，在开始很大范围内，二极管相当于非常大的电阻，反向电流很小，且不随反向电压而变化。此时的电流称之为反向饱和电流IR，OC（OC′）段。 1.二极管的伏安特性 (3). 反向击穿特性 反向电压加到一定数值，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿。电压称为反向击穿电压,用UBR表示, CD(C′D′)段。 温度特性 温度升高，正向特性左移， 反向特性下降。 为使三极管具有电流放大作用，在制造过程中必须满足实现放大的内部结构条件，即： ? （1）发射区掺杂浓度最高，以便于有足够的载流子供“发射”。 （2）基区很薄，掺杂浓度最低，以减少载流子在基区的复合机会，这是三极管具有放大作用的关键所在。 （3）集电结面积大于发射结面积，利于收集载流子。 （1）结构:NPN型管、PNP型管 （2）材料:硅管、锗管，目前国内生产的硅管多为NPN型（3D系列），锗管多为PNP型（3A系列） （3）工作频率:高频管、低频管 （4）功率:大功率管、中功率管、小功率管 特性曲线 指各极电压与电流之间的关系曲线 它是三极管内部载流子运动的外部表现。三极管的共射接法应用最广，以NPN管共射接法为例分析其特性曲线。 包括输入特性和输出特性曲线。 本次课掌握内容 1、三极管有两个PN结：发射结和集电结 2、三极管有NPN型和PNP型 3、三极管具有电流放大作用，此时，发射结正向偏置，集电结反向偏置。IE=IC+IB且IC=βIB 4、三极管输出特性曲线有三个工作区：放大区、饱和区和截止区。 5、NPN型三极管工作在放大区时： UEUBUC 死区电压，硅管0.5V，锗管0.1V。 IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V 管压降： 硅管UBE?0.6~0.8V,锗管UBE?0.2~0.3V。 1、输入特性曲线 2、输出特性曲线 iC(mA ) 1 2 3 4 uCE(V) 3 6 9 12 iB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 当 时，iC只与iB有关，满足iC=?iB。称为放大区。 放大区：发射结正向偏置，集电结反向偏置。 此区域中uCE?uBE，?iBiC ，称为饱和区。 iC(mA ) 1 2 3 4 uCE(V) 3 6 9 12 iB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 饱和区：发射结、集电结均正向偏置。 此区域中 : iB=0，iC≈0，称为截止区。 iC(mA ) 1 2 3 4 uCE(V) 3 6 9 12 iB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 截止区：发射结、集电结均反向偏置。 输出特性三个区域的特点: 很大，约为数百千欧，相当于开关断开 很小，约为数百欧，相当于开关闭合 可变 c、e间等效内阻 近似的 等效 电路 UCE≈UCC UCE=UCES≈0.3V UCE=UCC-ICRC 管压降 Ic≈0 IC＝ICS ≈UCC/RC IC＝βIB 集电极电流 工 作 特 点 发射结反偏，集电结反偏 发射结正偏， 集电结正偏 发射结正偏， 集电结反偏 条件 截 止 饱 和 放 大 工作状态 b c e b c e 0.7V 0.3V 3、三极管工作状态及类型的判断方法： 三极管放大状态时： NPN：UcUbUe ,PNP： UcUbUe 且|Ub-Ue|= 0.7V，硅管 0.3V，锗管 0.7V 4V 0 0.7V 0.3V 0