集成电路制造工艺课件(PPT 107页).ppt

* 外延: 指在单晶衬底上生长一层新单晶的技术。 ? 新生单晶层的晶向取决于衬底，由衬底向外延伸而成，故称“外延层”。 ? 外延生长通过控制反应气流中的杂质含量可方便调节外延层中的杂质浓度，不依赖于衬底中的杂质种类与掺杂水平。 ? 外延与隔离扩散相结合，可解决双极型集成电路元器件间的隔离问题。 § 3. 7 外延生长技术 * ? 液相外延 LPE Liquid Phase Epitaxy ?气相外延 VPE Vapor Phase Epitaxy 如金属有机物气相外延 MOVPE Metal-organic Vapor Phase Epitaxy . ? 分子束外延 MBE Molecular Beam Epitaxy 1. 外延分类 * IC中最常用的硅外延工艺.用加热提供化学反应所需的能量(局部加热)。 2. 气相外延生长 VPE 反应管 线圈 气体入口 气流? 石墨板 ? 气相四氯化硅在加热的硅衬底表面与氢气反应还原出硅原子淀积在表面上。 ? 在外延中掺入定量的硼、磷元素可控制外延层的电阻率和导电类型。 石墨板射频线圈加热：1500-2000 ℃ 高温：SiCl4+2H2→Si+4HCl↑ 释放出Si原子在基片表面形成单晶硅，典型生长速度：0.5~1μm/min。 * ? MBE 生长半导体器件级质量的膜层，生长厚度为原子级。 ? MBE系统基本要求： 超高真空10-10 ~ 10-11 τ，加热后轰击准备沉积物质形成分子流，在衬底表面淀积生长单晶层，生长速率0.01~0.03μm/min. ?生长速度慢，设备昂贵，外延质量好，实施监控厚度、掺杂浓度和生长质量。 3. 分子束外延 MBE * 计算机控制的 分子束外延设备 * 在集成电路制造中，金属层的功能： 1. 形成器件间的互连线； 2. 形成器件表面要电极 § 3. 8 金属层制备工艺 * 二. 金属材料的要求 导电性好、 损耗小； 与半导体有良好欧姆接触； 性能稳定不与硅反应； 台阶覆盖性好； 工艺相容。 金属铝 所有金属都无法同时满足以上要求，铝是最好的。 * 电迁移现象 铝是多晶结构，电流通过时铝原子受电子作用沿晶粒边界向高电位端迁移，使此处出现原子堆积形成小丘导致相邻金属线断路，低电位处出现空洞导至开路。 铝— 硅互溶 铝在硅中有一定固溶度， 若引线孔的硅向铝中溶解就会在硅中出现深腐蚀坑。 若铝向硅中溶解渗透较深时，在pn结处就出现漏电甚至短路。 1、铝存在的问题 * 2. 合金材料和其它材料 大规模、超大规模集成电路常采用其它金属材料： 铝— 硅合金 合金中硅的含量超过硅在铝中的固溶度，可避免出现铝—硅互溶问题。 铜 抗电迁移，镶嵌技术解决了铜刻蚀的问题。 重掺多晶硅 用低压化学气相沉积法制备多晶硅薄膜，代替铝作为MOS器件的栅极材料并同时完成互连，与铝层形成双层布线结构 。 难熔的金属硅化物：Ti、 Mo、 W、 Ta及其硅化物 * 3.8.2. 金属层形成的方法 主要采用：物理汽相沉积技术PVD Pysical Vapor Deposition 最常用 真空蒸发法 溅射法 一：真空蒸发法 把被蒸镀物质加热，利用被蒸镀物在高温时的饱和蒸汽压，气相原子沉积在晶片表面上形成薄膜层。 二：溅射法 利用等离子对被溅镀物电极(靶)进行轰击，使气相等离子体内有被溅镀物的粒子，这些粒子沉积到晶片上形成薄膜。 * 真空蒸发镀膜 真空蒸发镀膜: ? 提高温度熔解并蒸发材料。 ? 将材料置于高熔点金属 (W, Mo, Ta, Nb)制成的 加热丝或舟内通直流电。 ? 利用 欧姆热加热材料； 绝缘材料制成坩埚 通 射频交流电； 利用电磁感应加热材料。 * 1-发射体，2-阳极，3-电磁线圈，4-水冷坩埚，5-收集极，6-吸收极，7-电子轨迹，8-正离子轨迹，9-散射电子轨迹，10-等离子体 吸收反射电子、背散射电子、二次电子 吸收电子束与蒸发的中性离子碰撞产生的正离子 e型电子枪蒸发源示意图 电子束蒸发: * 大规模集成电路生产中，用溅射法取代蒸发法的优点： ? 溅射可在面积很大的靶上进行，解决大尺寸硅片沉