ESD保护栅结缓构的Trench MOSFET设计制造.docxVIP

优秀毕业论文 精品参考文献资料 苏州大学 硕士学位论文 ESD保护栅结构的Trench MOSFET设计制造 姓名：殷允超 申请学位级别：硕士 专业：工程硕士 指导教师：黄秋萍 201110 ESB保护栅结构的 ESB保护栅结构的Trench MOSFET设计制造 摘要 摘 要 功率MOSFET是将微电子技术和电力电子技术融合起来的新一代功率半导体 器件。因其具有输入阻抗高、开关速度快、输出电流大和热稳定性好、安全工作 区宽等优点，在电源保护、电源开关、De／DC变换器和同步整流等电子设备中得 到广泛应用。 本文给出了·种带有ESD保护栅结构的Trench MOSFET的设计流程。和普通 MOSFET相比，其创新之处在于植入了ESD保护结构，使其抗ESD能力相比普 通MOSFET显著提高。本文的目的是在达到设计目标的同时尽量减少光刻版的层 数，降低单位面积的导通电阻，从而有效控制成本。 第一部分是研究背景，包括功率MOSFET和ESD保护型功率MOSFET的发 展、应用以及市场前景等。第二部分是理论基础，介绍了Trench MoSFET和ESD 的理论知识，提出了在栅极区制造ESD保护结构方法，此方法可以有效控制芯片 面积。第三部分是工程实践，首先通过经典理论公式推导出外延片规格；终端结 构使用场板、多晶硅场限环和截止环的复合结构；ESD保护二极管先P型掺杂再 N型注入的顺序使