集成电路制造工艺之光刻与刻蚀工艺培训课件(ppt 111页).ppt

* 8.6、紫外光曝光 紫外(UV)光源和深紫外(DUV)光源是目前工业上普遍应用的曝光光源。 8.6.1、水银弧光灯光源 在248nm的KrF准分子激光器被应用到DUV光刻之前，光刻系统是使用高压水银灯作为光源。 汞灯内部充有水银气体，在两个电极之间施加高压脉冲，脉冲将会使电极间的气体电离，形成高压水银气的弧光发射，发射一个特征光谱。如果在汞灯内加入一定的氙气，可以提高波长为200～300nm范围的输出能量。 * 右图显示了汞气的发射光谱。在350～450nm的UV光谱范围内，有三条强而锐利的发射线： i线(365nm)、h线(405nm)和g线(436nm)。 通过折射透镜进行分离，就可以得到单一波长的光线。 * * 8.6.2、投影式照明系统 投影式照明系统的作用是收集从弧光灯中射出的光，并使收集的光通过掩模版投射到透镜组的入射光孔中。 光学收集系统：通常为抛物面或椭圆面的镜子，尽可能多地将发射的光波引到需要曝光的硅片表面。 过滤器：将其他波长光过滤，通过投影透镜的就是曝光波长的光线。 光线空间均匀：弧形灯发射光线的空间一致性不够好，照明掩膜要求光强波动小于1％。使用蜂窝状透镜，产生小弧形灯的多重图像，从多重图像射出的光集合在一起，产生一个平均强度，这个平均强度要均匀很多。 * 8.6.3、准分子激光DUV光源 DUV光刻系统中的光源是准分子激光器： KrF准分子激光器：可以产生波长为248nm的DUV光线，目前已经成为光刻工艺中的主要光源，应用于0.35μm、0.25μm和0.18μm CMOS技术。 ArF准分子激光器：可以产生波长为193nm的DUV光线，应用于0.2μm 以下的CMOS工艺。 * 准分子：是由一个惰性气体原子和一个卤素原子组成的特殊分子，这种分子只是在激发状态下被约束在一起。如果其中一个或两个原子处在激发态，就可以发生化学反应形成二聚物。 准分子发射DUV光：当准分子中的原子的状态由激发态衰变到基态时，二聚物就分离成两个原子，在衰变的过程中，有DUV能量放射。 准分子激光原理 KrF准分子激光器： 首先是等离子体中产生Kr+和F-离子，然后对Kr+和F-离子气体施加高电压的脉冲，使这些离子结合在一起形成KrF准分子。 在一些准分子开始自发衰变之后，它们发射的光穿过含有准分子的气体时，就会激励这些准分子发生衰变。因此，准分子激光以短脉冲形式发射，而不是连续地发射激光。 只要充以足够高的电压，那么激发、脉冲和激光发射就会重复产生。 * 8.6.4、接近式曝光 接近式曝光装置主要由四部分组成： 光源和透镜系统 掩模版 硅片(样品) 对准台 汞灯发射的紫外光由透镜变成平行光，平行光通过掩模版后在光刻胶膜上形成图形的像。 掩模版与硅片之间有一小的间隙s，一般为5μm，故称为接近式曝光。 * 在8.2节中我们知道，光学曝光的最高分辨率为1/λ。但在接近式曝光系统中，由于掩模版和硅片间有一小间隙s，必须考虑这种情况下衍射对分辨率的限制。 经过分析，如果像与掩膜版尺寸相同，没有畸变，则接近式曝光系统的最小线宽为 因此分辨率为 若s=5μm，λ=400nm，则a=2 μm，R=250线对。 实际s5μm，因此接近式曝光只能用于3 μm以上的工艺。 接近式曝光的分辨率 * 8.6.5、接触式曝光 接触式曝光系统与接近式相同，唯一的区别是掩模版与硅片是紧密接触，因此接触式曝光的分辨率优于接近式曝光。 接触式是集成电路研究与生产中最早采用的曝光方法，但目前已处于被淘汰的地位，主要原因是掩模版和硅片紧密接触容易引入大量的工艺缺陷，成品率太低。 * 8.6.6、投影光刻 投影光刻系统如图所示： 光源光线经透镜后变成平行光 通过掩模版 由第二个透镜系统聚焦投影并在硅片上成像 硅片支架和掩模版间有一对准系统 * 投影曝光系统的分辨率：主要是受衍射限制。 透镜系统能够分辨的最小间隔?y为： NA为透镜系统的数值孔径，一般为0.2-0.45。 若NA = 0.4，? = 400 nm，则?y = 0.61 μm。 投影光刻可以达到亚微米水平。 投影光刻已成为3μm以下的主要光刻方法。 投影曝光系统的分辨率及优点 * 8.6.7、离轴照明 离轴照明技术在不改变工作波长、投影物镜的数值孔径与光刻胶工艺的条件下，就能提高光刻分辨率，优化焦深，因而得到了广泛应用。 对于数值孔径一定的投影物镜，当光栅周期太小时，在同轴照明情况下，±1级及更高阶衍射光都被物镜的光阑遮挡，只有0级衍射光进入物镜，0级衍射光不包含任何空间信息，硅片上不能形成掩模的图像