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* 1.2 电路如图P1.2所示,已知ui=10sinωt(v),试画出ui与uO的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。 1.3 电路如图P1.3所示,已知ui=5sinωt (V),二极管导通电压UD=0.7V。试画出ui与uO的波形,并标出幅值。 1.4 电路如图P1.4所示,二极管导通电压UD=0.7V,常温下UT≈26mV,电容C对交流信号可视为短路;ui为正弦波,有效值为10mV。 试问二极管中流过的交流电流有效值为多少? + - ui iD C R 2V 500Ω 解:二极管的直流电流: ID=(V-UD)/R=2.6 mA 其动态电阻: rD ≈UT / ID= 10 Ω 故动态电流有效值: Id=Ui / rD ≈ 1 mA 1.6 已知图P1.6所示电路中稳压管的稳定电压UZ=6V,最小稳定电流IZmin=5mA,最大稳定电流IZmax=25mA。 (1)分别计算UI为10V、15V、35V三种情况下输出电压UO的值; (2)若UI=35V时负载开路,则会出现什么现象?为什么? 解:(1)当UI=10V时,若UO=UZ=6V, 所以稳压管未击穿,处于反向截止。故 I IZ IL + - UI DZ RL 500Ω + - UO 1kΩ R 当UI=15V时,若UO=UZ=6V, I IZ IL + - UI DZ RL 500Ω + - UO 1kΩ R 不可能 所以稳压管未击穿,处于反向截止。故 当UI=35V时,若UO=UZ=6V, UO=UZ=6V (2) 若UI=35V 时,负载开路 I IZ IL + - UI DZ RL 500Ω + - UO 1kΩ R 稳压管将因功耗过大而损坏。 1.9 测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.9所示。在圆圈中画出管子,并分别说明它们是硅管还是锗管。 12V 3V 3.7V T2 b c e 12V 15V 12.7V T3 b c e 12V 0V 12.2V T4 b c e 12V 14.8V 15V T5 b c e 12V 15V 11.8V T6 b c e 硅管 硅管 锗管 锗管 锗管 1.11 电路如图P1.11所示,晶体管的β=50,|UBE|=0.2V,饱和管压降|UCES|=0.1V;稳压管的稳定电压UZ=5V,正向导通电压UD=0.5V。试问:当uI=0V时uO=?当uI=-5V时uO=? + + - - Rb Rc uI uo -VCC (-12V) 10kΩ 1kΩ T 解: 当uI=0时,晶体管截止,稳压管击穿,uO=-UZ=-5V。 当uI=-5V时,晶体管饱和,uO=-0.1V。因为 1.12 分别判断图P1.12所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。 -6V Rc Rb 1.5V T (a) -6V Rc Re T (c) -6V +6V (b) Rb Rc T 可能 可能 不能,发射结反偏 +6V (d) Rc T 1.5V +6V (e) Rc T Rb 不能,T的发射结会因为电流过大而损坏。 可能 2.6 电路如图所示,已知晶体管β=120, UBE=0.7V,饱和管压降UCES=0.5V。在下列情况下,用直流电压表测晶体管的集电极电位,应分别为多少?(1)正常情况 (2)Rb1短路(3)Rb1开路 (4)Rb2开路 (5)Rb2短路 (6)RC短路 (1) 正常情况 解: Rb1 Rb2 Rc +VCC(15V) + - + - uI uO 4.3kΩ 82kΩ 5.1kΩ IBQ ICQ UCE + - 由于UBE=0V,T截止,UC=15V。 (2)Rb1短路 由于IB>IBS,故T饱和,UC=UCES=0.5V。 (5)Rb2短路 (3)Rb1开路 临界饱和基极电流 实际基极电流 由于集电极直接接直流电源,UC=VCC=15V (4)Rb2开路 T截止,UC=15V。 (6)RC短路 三极管发射结电流太大而损坏。 2.10 在图P2.9所示电路中,设静态时ICQ=2mA,晶体管饱和管压降UCES=0.6V。试问:当负载电阻RL=∞和RL=3kΩ时电路的最大不失真输出电压各为多少伏? 解: ICQ=2mA, UCEQ=VCC-ICQRc=6V。 空载时 VCC- UCEQ =6V。 UCEQ - UCES =5.4V。 C 0 u CE i VCC 直流负载线 (-1/RC) Q I CQ UCEQ UCES Rb Rc +VCC + - uO 3
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