集成电路工艺技术教材(PPT 67页).pptVIP

* 剂量对沟道效应影响 1E4 1E3 1E2 1E1 7E14/cm2 9E13/cm2 1E13/cm2 0.4 0.8 1.2 1.6 um P32 (110) Si * 取向对沟道效应影响 1E4 1E3 1E2 1E1 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 深度（ um） P32 (110) Si 40kev 准直 偏2° 偏8° * 温度对沟道效应影响 室温 400°C 1E4 1E3 1E2 1E1 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 深度 （um) 计 数 P32 (110) Si 40kev * 目录 射程和分布 沟道效应 损伤和退火 离子注入机 离子注入的应用 离子注入工艺模拟 * 离子注入损伤－过程 高能离子与晶格原子核碰撞，能量传递给晶格原子－晶格原子离开晶格位置－移位原子有足够能量与其他衬底原子碰撞－产生额外移位原子－在入射离子路径周围产生大量缺陷（空位和间隙原子）－形成衬底损伤区 * 离子注入损伤 轻离子 （B） 重离子 （As) 损伤区 Rp 畸变团 * 离子注入损伤－临界剂量 损伤随剂量增加而增加，达到损伤完全形成（非晶层，长程有序破坏）时的剂量称临界剂量?th 注入离子质量小－?th大 注入温度高－?th大 注入剂量率高，缺陷产生率高－ ?th小 * 离子注入损伤－临界剂量 ?th (cm-2) 1014 1015 1016 1017 2 4 6 8 10 1000/T(K) B P Sb * 损伤的去除－退火 损伤对电特性影响 * 注入杂质不在替代位置－载流子浓度低 * 晶格缺陷多－散设中心多－载流子迁移率低，寿命低－pn结漏电 退火的作用 * 高温下原子发生振动，重新定位或发生再结晶（固相外延），使晶格损伤恢复 * 杂质原子从间隙状态转变为替位状态，成为受主或施主中心－电激活 * 退火效应－硼 * 退火效应－硼，磷，砷比较 4 5 6 7 8 9 x100C 1e15 5e15 1e14 5e14 载 流 子 浓 度 (cm-3) B+ P+ As+ B+ 100kev P+ 200kev As+80kev 1x1015/cm3 退火温度 * 退火温度－和剂量的关系 退火温度－退火30min，有90%掺杂原子被激活的温度 1013 1014 1015 1016 剂量 （cm-2） B P Ta=30’ 退火温度 (Co) 600 700 800 900 1000 500 * 快速热退火(RTA) * 退火技术比较 * 目录 射程和分布 沟道效应 损伤和退火 离子注入机 离子注入的应用 离子注入工艺模拟 * 离子注入机 按能量分 低能 100kev 中能 100-300kev 高能 300kev 按束流分 弱流 uA 中束流 100uA-1mA 大束流 mA NV-6200A 350D (200kev,1mA) 1080(80kev,10mA) 10160(160kev,10mA) * 离子注入机结构 * 离子注入机结构 离子源 分析 系统 加速 系统 聚焦 扫描 靶室 电源 真空 冷却 控制测量 * 离子源 离子种类 能产生多种元素的离子束 束流强度 决定生产效率 束流品质 寿命 气体利用效率 束流/耗气量 功率利用效率 束流/功耗 * 集成电路工艺技术讲座 讲 Ionimplantation * 引言 半导体工艺中应用的离子注入是将高能量的杂质离子导入到半导体晶体，以改变半导体，尤其是表面层的电学性质． 注入一般在50-500kev能量下进行 * 离子注入的优点 注入杂质不受材料溶解度，扩散系数，化学结合力的限制，原则上对各种材料都可掺杂 可精确控制能量和剂量，从而精确控制掺杂量和深度 较小的恒向扩散 掺杂均匀性好，电阻率均匀性可达1% 纯度高，不受所用化学品纯度影响 可在较低温度下掺杂 * 目录 射程和分布 沟道效应 损伤和退火 离子注入机 离子注入的应用 离子注入工艺模拟 * 射程 入射离子在非晶靶内的射程 非晶靶 射程，投影射程 入射方向 Rp R * LSS理论 单个入射离子在单位距离上的能量损失 -dE/dx=N[Sn(E)+Se(E)] 其中：Sn(E