X射线光电子谱XPS课件.ppt

XPS ??XPS分析方法 定性分析-谱线的类型 X射线的伴峰：X射线一般不是单一的特征X射线，而是还存在一些能量略高的小伴线，所以导致XPS中，除K?1,2所激发的主谱外，还有一些小的半峰。 XPS ??XPS分析方法 定性分析-谱线的类型 Mg阳极X射线激发的C1s主峰及伴峰 XPS ??XPS分析方法 定性分析-谱线的类型 X射线“鬼峰” ：有时，由于X射源的阳极可能不纯或被污染，则产生的X射线不纯。因非阳极材料X射线所激发出的光电子谱线被称为“鬼峰”。 Contaminating Radiation Anode Materials Mg Al O (K?) Cu (L?) Mg (K?) Al (K?) 728.7 323.9 - -233.0 961.7 556.9 233.0 - XPS ??X射线光电子谱仪的能量校准 荷电效应 考虑荷电效应有： 其中ES=VS?e为荷电效应引起的能量位移，使得正常谱线向低动能端偏移，即所测结合能值偏高。 荷电效应还会使谱锋展宽、畸变，对分析结果产生一定的影响。 XPS ??X射线光电子谱仪的能量校准 荷电效应 荷电效应的来源主要是样品的导电性能差。 荷电电势的大小同样品的厚度、X射线源的工作参数等因素有关。 实际工作中必须采取有效的措施解决荷电效应所导致的能量偏差。 XPS ??X射线光电子谱仪的能量校准 荷电效应-中和法 制备超薄样品； 测试时用低能电子束中和试样表面的电荷，使Ec0.1eV， 这种方法一方面需要在设备上配置电子中和枪，另一方面荷电效应的消除要靠使用者的经验。 XPS ??X射线光电子谱仪的能量校准 荷电效应 -内标法 在处理荷电效应的过程中，人们经常采用内标法。即在实验条件下，根据试样表面吸附或沉积元素谱线的结合能，测出表面荷电电势，然后确定其它元素的结合能。 XPS ??X射线光电子谱仪的能量校准 荷电效应-内标法 在实际的工作中，一般选用(CH2)n中的　C1s峰，(CH2)n一般来自样品的制备处理及机械泵油的污染。也有人将金镀到样品表面一部分，利用Au4f7/2谱线修正。 这种方法的缺点是对溅射处理后的样品不适用。另外，金可能会与某些材料反应，公布的C1s谱线的结合能也有一定的差异。 XPS ??X射线光电子谱仪的能量校准 荷电效应-内标法 有人提出向样品注入Ar作内标物有良好的效果。Ar具有极好的化学稳定性，适合于溅射后和深度剖面分析，且操作简便易行。 选用Ar2p3/2谱线对荷电能量位移进行校正的效果良好。这时，标准Ar2p3/2谱线的结合能?0.2 eV。 XPS ??XPS中的化学位移 化学位移 由于原子所处的化学环境不同而引起的内层电子结合能的变化，在谱图上表现为谱峰的位移，这一现象称为化学位移。 化学位移的分析、测定，是XPS分析中的一项主要内容，是判定原子化合态的重要依据。 XPS ??XPS中的化学位移 化学位移 三氟化乙酸乙脂中四个不同C原子的C1s谱线。 XPS ??XPS中的化学位移 化学位移 High resolution Al (2p) spectrum of an aluminum surface. The aluminum metal and oxide peaks shown can be used to determine oxide thickness, in this case 3.7 nanometres. XPS ??XPS中的化学位移 化学位移 化学位移的理论分析基础是结合能的计算。根据前面所讲的计算方法可以知道对于处于环境为1和2的某种原子有： XPS ??XPS中的化学位移 化学位移 在大多数的情况下，相对论效应和相关的修正对结合能的影响是较小的，可以忽略。对付驰豫效应的方法是用近似关系式： 其中E+为离子体系的SCF能。 XPS ??XPS中的化学位移 电荷势模型 电荷势模型是由Siegbahn等人导出的一个忽略弛豫效应的简单模型。在此模型中，假定分子中的原子可以用空心的非重叠的静电球壳包围一中心核近似。这样结合能位移可表示成 其中?EV和?EM 分别是原子自身价电子的变化和其它原子价电子的变化对该原子结合能的贡献。 XPS ??XPS中的化学位移 电荷势模型 因此有： 其中q是该原子的价壳层电荷；V是分子中其它原子的价电子在此原子处形成的电荷势??原子间有效电荷势；k为常数；ER是参数点。 XPS ??XPS中的化学位移 电荷势模型 原子间有效电荷势可按点电荷处理有： RAB是原子A与B间的距离，qB是B原子的价电荷。 XPS ??XPS中的化学位移 电荷势模型 q可用Paul