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第一步：衬底材料 衬底应重掺杂，导电能力良好 N Well P Well 第二步：生成N阱与P阱 NMOS：P阱 PMOS：N阱 分别进行离子注入，然后进行深扩散 STI： Shallow Trench Isolation 浅沟隔离，将阱区、晶体管隔离开 STI STI STI N Well P Well 第三步：浅沟隔离 STI STI STI N Well P Well 防击穿注入 第四步：防击穿注入与阈值调整注入 防击穿注入可以提高纵向击穿电压，减小背栅电阻 STI STI STI N Well P Well 阈值调整注入 第四步：掩埋层注入与阈值调整注入 NMOS的自然阈值约0V，PMOS的自然阈值约1.2V 通过阈值调整注入，NMOS阈值约0.6V，PMOS约-0.6V STI STI STI N Well P Well 第五步：栅极氧化层和多晶硅栅极 STI STI STI N Well P Well 第六步：源区和漏区轻掺杂注入 STI STI STI N Well P Well 第七步：侧壁间隔层 （Sidewall Spacer） 防止靠近源区和漏区的沟道两侧被重掺杂，并保护栅氧层 STI STI STI N Well P Well 第八步：源区和漏区重掺杂注入 完成源区和漏区，同时也生成了阱区的欧姆接触点 STI STI STI N Well P Well 第九步：生成自对准硅化物（Salicide） 硅化物包括TiSi2， WSi2， TaSi2等，可与金属形成良好欧姆接触 Salicide STI STI STI N Well P Well 第十步：氧化物绝缘层（Intermediate Oxide Layer） 覆盖保护晶体管，完成平整化（planarize） STI STI STI N Well P Well 第十一步：金属层M1 首先电镀生长钨塞（Tungsten Plug） 钨塞 STI STI STI N Well P Well 第十一步：金属层M1 然后通过镶嵌工艺（damascene）产生铜互联 金属层M1（铜） STI STI STI N Well P Well 第十二步：金属层M2 与M1的流程相同 钨塞 STI STI STI N Well P Well 第十二步：金属层M2 与M1的流程相同 金属层M2（铜） CMOS集成电路SEM图像 图片来自P.E.Allen的讲义 集成电路截面SEM图像 集成电路截面SEM图像 MOSFET在哪里？ 俯瞰晶体管之城
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