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Gunn二极管(最终) 耿氏器件简介 耿氏效应:n型砷化镓两端电极上加以电压。当电压高到某一值时,半导体电流便以很高频率振荡,这个效应称为耿氏效应。 耿氏器件：一种负阻半导体器件，可用它构成振荡器和放大器。由于耿氏器件是一块N型砷化镓晶体的半导体材料，其中没有结，故又将耿氏器件称为体效应器件。由于这种器件的工作机理基于转移电子效应，故也将这种器件称为转移电子器件。 耿氏二极管结构： 具有n+／n／n+GaAs结构，砷化镓材料具有多能谷结构 图7-39 体效应二极管结构及其等效电路 如下图：R不是结电阻，而是负阻，C不是结电容、而是等效电容；Lp和Cp分别是封装电感和封装电容，Rs是半导体材料电阻和接触电阻。 耿氏二极管结构及其等效电路： 砷化镓（GaAs）和磷化铟(InP)等材料的薄层具有负阻特性， 因而无需P-N结就可以产生微波振荡。 工作原理与通常由P-N结组成的半导体器件不同，它不是利用载流子在P-N结中运动的特性，而是利用载流子在半导体的体内运动的特性，是靠砷化镓等材料“体”内的一种物理效应工作的，所以这类器件被称为体效应二极管或耿氏二极管(以发明者Gunn命名)。 耿氏二极管工作原理： 耿氏二极管工作原理： 耿氏二极管的外特性是通过实验观察到的。若在一块N型砷化镓单晶的两端加上直流电压，如图3-9所示。当电压逐渐增加时，电流也跟着大．如图3-10中OA线段所示，这是正阻区。但是，当电压升到某一临界值Vm时，电流达到它的最大值Ith。随着电压的进一步增大，电流反而减小，这就是我们常讲的负阻现象，如图3-10中的AB线段所示。当电压增大到Vb以后，如果继续增大电压，电流又开始上升，进入另一正阻区。图中刚开始出现负阻时的电压 Vm和电流Ith分别称之为阈值电压和阈值电流。从体效应管的电压-电流特性曲线显然看出：如果适当选择管的直流工作点，就可能利用它的负阻特性来产生高频振荡。 耿氏二极管典型应用： ——微波振荡器 微波负阻振荡器是将直流能量转换成微波能量的一种装置，它是由微波有源器件和谐振腔组成的。上图给出了这种微波负阻振荡器的示意图。图中谐振腔中 接有源器件，它的等效非线性阻抗是 。为简单起见，将器件负阻-Rd单独提出来，而器件的电抗与外电路合并。假设谐振回路是单回路，并将合 并后的电抗原件用LC表示，r为回路损耗电阻，RL为负载电阻 ，e(t) 为器件和电路产生的噪声电压。则等效电路可以用右图表示。 耿氏二极管典型应用： ——微波振荡器 若将耿氐二极管装在谐振腔的适当位置上，只要在它的两端加上适当的直流电压，就可以在谐振腔内产生微波振荡，这就构成了微波负阻振荡器。由于谐振腔相当于集总电路的L0-R0-C0并联谐振电路，它与耿氏二极管组合起来就形成了如图3-12(a)的等效电路，其中图3-12(a)的左侧表示Gunn二极管等效电路。Cd和-Rd是有源区参数，Cd是Gunn管电荷区域的电容参数，-Rd是在电场超过阈值后所呈现的负阻特性，C、L是管壳及引线所呈现的分布参数；图3-12(a)右侧表示谐振腔等效电路。 二极管具有负阻-Rd，而负载则是正电阻R0，由于-Rd与R0并联，它的电阻为：