半导体集成电路第5章下.pptVIP

半导体集成电路 南京理工大学电光学院 基本恒流源 如图，T2的集电极电流即输出电流。T1和电阻Rr是用来控制输出电流的。Ir为参考电流。 带有缓冲级的恒流源 在多个恒流源时，为了使输出电流与参考电流尽量接近，可插入T0管。 补偿恒流源 补偿恒流源不仅输出电流与参考电流较为接近，而且具有负反馈特性，更利于稳定。若三管完全相同，则： 若输出电流增大，则Ie3增大，导致Ic2增大。T1、T2组成基本恒流源，所以Ic1增大。Ir基本不变，而Ir=Ic1+Ib3，所以Ib3减小，导致输出电流减小，稳定了工作点。 横向PNP管恒流源 所谓横向PNP管，是以n型外延层作为基区，而发射区与集电区由硼扩散同时实现，因此工艺上容易造出多个发射区和集电区。 优点：电路简单、版图面积小。 缺点：横向PNP管固有的弱点β小，频响差，大电流和小电流下β都严重下降。 以上讨论的各种NPN管组成的恒流源均可由PNP管组成，只是恒流电流极性相反而已。 有源负载 共射放大器的电压增益可近似写为KV=-gmRC,其中RC为集电极负载电阻。所以要提高电压增益，应加大负载电阻。然而这样会增大功耗，而且集成工艺制造困难。故可用有源元件晶体管的高输出阻抗作为负载。 提高了共射放大器电压增益 直流电阻并不大，不必高电源电压维持工作电流 电源电压变化范围较宽 集成工艺中，有源负载所占面积很小，也易制造。 提高输出电阻的两个途径 增大Early电压 降低管子的工作电流。但这将使发射结电阻增大。 其他提高有源负载输出电阻方法 采用共基状态下的有源电阻。当有源负载接为共基状态时，其集电极输出电阻为共射极状态下的（β+1）倍。 加接发射极电阻Re 当Re远大于BE极电阻， 当Re远小于BE极电阻， 以小恒流源为有源负载的单管共射放大电路 PNP型T1为放大管，T2为有源负载，T2,T3及电阻Rr，Re构成小恒流源电路。Re的存在加大了T2的输出电阻。 以基本恒流源作为有源负载的单管共射电路。 T1为放大管，T2为有源负载，T2，T3构成基本恒流源。 电源极性与管子工作区需配合，对NPN型放大管，有源负载应为PNP型。反之亦然。 第五章 双极模拟集成电路 基准源电路 所谓基准源电路，即是稳定的直流电压源。 要求：低内阻、低噪声、高稳定性（温度和电源电压稳定性） 几种常用的基准源电路 正向二极管基准源电路 齐纳二极管基准源电路 具有温度补偿的齐纳二极管基准源电路 负反馈基准源电路 零温度系数基准源电路 低噪声带隙基准源电路 正向二极管基准源电路 利用晶体管BE结的正向特性，可获得基准源。 但是，这种基准源温度系数较大，内阻也较大。 Vr=nVf~n·0.7V 齐纳二极管基准源电路 利用齐纳二极管的反向击穿特性作为基准源。实际经常采用BE结短接的晶体管。? 齐纳二极管zener diodes(又叫稳压二极管)，是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。在临界击穿点上,反向电阻降低到一个很小的数值，在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定。所以此电压可作为基准源电压。 齐纳二极管伏安特性 从输出端看过去，总内阻为R0=R//Rr,Rr为二极管本身内阻，通常远小于R,所以R0~R。Rr由动态电阻和欧姆电阻两部分组成 其反向击穿电压具有正温度系数，一般为dVbe/dT~2mv/C 外加电源Vi变动时，基准电压变化为： 可采用恒流供电方式。 具有温度补偿的齐纳二极管基准源电路 将具有正温度系数的齐纳二极管和具有负温度系数的正向二极管串联起来，选择适当的工作电流，即可实现一定范围内的温度补偿。 基准电压：Vref=Vdz+Vf 内阻：R0=Rdz+Rf=Rdz+VT/I 负反馈基准源电路 射级跟随形式，所以内阻很小 齐纳二极管和T2的正向BE结串接，实现了温度补偿 T1、T2、Dz和电阻R组成负反馈电路。 Vr升高，导致VB升高，导致IB升高，导致VA下降，导致Vr下降。 零温度系数的基准源电路 利用正温度系数的齐纳二极管和负温度系数，进行适当的元件选择，以获得零温度系数的基准源。 需满足两个条件：dVref/dT=0，以及dIo/dT=0。 需要确定：R1,R2，及n和m的值。 dVref/dT=0 dIo/dT=0 由此式定出n+m，如果选定n则可知道m，再把n，m代入上一页的式子，可求出R1,R2的比值。 缺点：采用了齐纳二极管，噪声较大； 内阻近似为ro=R1//R2,也比较大。 采用了类型众多的原件，对工艺要求高。 低噪声带隙基准源电路 不采用齐纳二极管，噪声较低。输出电阻小。 输出电压为半导体的带隙电压。 模拟集成电路对输出级的要求 输入阻抗高，输出阻抗低，减小“负载效应”——当下级电路（负载）联上上级电路，因分压使信号缩小的效应。 输出