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第3章 晶体缺陷 按缺陷的几何形态分为三类： 点缺陷（零维缺陷）：三个方向上的尺寸都很小，相当于原子的尺寸。包括：晶格空位、间隙原子、杂质和溶质原子。 线缺陷（一维缺陷）：两个方向上的尺寸很小，另一个方向上的尺寸相对很大。如各类位错。 面缺陷（二维缺陷）：在一个方向上的尺寸很小，另外两个方向上的尺寸很大。如晶界和亚晶界等。 3.1 点缺陷 3.1.1 点缺陷的形成 对于弗伦克尔缺陷，间隙原子和空格点是成对产生，晶体的体积不发生改变；而肖特基缺陷使晶体体积增加。 在晶体中，几种缺陷可以同时存在，但通常有一种是主要的。一般说，正负离子半径相差不大时，肖特基缺陷是主要的。两种离子半径相差大时弗伦克尔缺陷是主要的。 五、高分子晶体和离子晶体的点缺陷（自学） 在一定温度下，晶体中达到统计平衡的空位和间隙原子的数目是一定的，而且晶体中的点缺陷并不是固定不动的，而是处于不断的运动过程中。 发生复合时，由于能量起伏，在其他地方可能又会出现新的空位和间隙原子，以保持在该温度下的平衡浓度不变。 晶体中的原子正是出于空位和间隙原子不断地产生与复合才不停地由一处向另一处作无规则的布朗运动．这就是晶体中原子的自扩散，是固态相变、表面化学热处理、蠕变、烧结等物理化学过程的基础。 2.螺型位错 　设立方晶体右侧受到切应力的作用，其右侧上下两部分晶体沿滑移面ABCD发生了错动，如图所示。这时已滑移区和未滑移区的边界线bb′(位错线)不是垂直而是平行于滑移方向。 鉴于原子排列的这种特点，此种晶格缺陷被称为螺型位错。 根据旋进方向，螺型位错分为左旋与右旋。 先确定位错线的方向：规定位错线垂直纸面时，由纸面向外为正向。 刃型位错 螺型位错 刃型位错的一个重要特征：刃型位错的柏氏矢量与位错线垂直。 刃型位错的正、负，可用右手法则来确定。即用右手的姆指、食指和中指构成直角坐标，以食指指向位错线的方向，中指指向柏氏矢量的方向，则拇指的指向代表多余半原子面的位向，且规定拇指向上者为正刃型位错；反之为负刃型位错。 矢量图解法 3.运动位错的交割 当一位错在某一滑移面上运动时，会与穿过滑移面的其他位错交割。位错交割时会发生相互作用，这对材料的强化、点缺陷的产生有重要意义。 弗兰克-瑞德（Frank-Read）位错源 刃位错AB两端被钉住。 施加切应力b 位错线弯曲 沿法向方向向外扩展 相互靠近，抵消 形成位错环和位错线 外加应力继续，位错增殖。 单位位错：面心立方 α110 /2 ， 体心立方 111 α/2 ， 密排六方 α1120 /3 ， 平行于晶体的最密排方向。 该位错滑移后晶体原子排列不变，故又称全位错或完整位错。 （三） 层错能 形成层错时几乎不产生点阵畸变，只会使晶体的对称性和周期性发生变化。 由于层错破坏了晶体所在区域固有的周期性和对称性，故使晶体的能量有所增加，这部分增加的能量称“堆垛层错能”。 从能量的观点来看，晶体中出现层错的几率与层错能有关，层错能越高则几率越小。 如在层错能高的铝中，就看不到层错，而在层错能很低的奥氏体不锈钢（0.013）中，常可看到大量的层错。 表面：固体材料与气体或液体的分界面。 内界面：晶界、亚晶界、孪晶界、层错和相界面等。 影响表面能的因素主要有： （1）外部介质的性质。介质不同，则表面能不同。外部介质的分 子或原子对晶体界面原子的作用力与晶体内部原子对界面原 子的作用力相差越悬殊，则表面能越大。 （2）表面的原子密度。表面是密排晶面时，表面能最小。 （3）晶体表面的曲率。表面能的大小与表面的曲率有关，曲率半 径越小，表面能就越高。 （4）晶体本身性质。晶体中原子的结合能越高，则表面能越大。 在孪晶面上的原子同时位于两个晶体点阵的结点上，为两个晶体所共有。孪晶面就是孪晶界。 界面能很低，较为常见. 孪晶界相对于孪晶面旋转一角度，即可得到非共格孪晶界。 孪晶界上只有部分原子为两部分晶体所共有。 原子错排较严重，界面能相对较高。 半原子面缩小，即位错向上运动，则发生正攀移。 攀移需要热激活，所需能量较滑移更大。 攀移需在较高温度下完成。 过饱和点缺陷有利于攀移进行。 2.位错的攀移 刃型位错 螺型位错无攀移 实质：构成刃型位错的多余半原子面的扩大或缩小。 实现：通过物质迁移即原子或空位的扩散来实现。 正攀移 空位 负攀移 间隙原子 分类 攀移运动→非守恒运动 位错滑移→守恒运动 影响攀移因素： ①温度。温度升高，原子扩散能力增大，攀移易于进行 ②正应力。垂直于额外半原子面的压应力，促进正攀移，拉应力，促进负攀移 。 a.割阶与扭折 b.几种典型的位