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项目一、 半导体器件基础 本征半导体 — 半导体中存在两种载流子：自由电子和空穴。 结论： 磷原子 死区电压 硅管 0.5V,锗管0.2V 三极管实物图 电击穿 热击穿 反向击穿原因： 齐纳击穿： (Zener) 雪崩击穿： — PN 结未损坏，断电即恢复。 — PN 结烧毁。 反向击穿类型： 反向电场太强，将电子强行拉出共价键。 反向电场使电子加速，动能增大，撞击 使自由电子数突增。 PN结的反向击穿 当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿。 1.3 二极管的主要参数 1. IF — 最大整流电流(最大正向平均电流) 2. URM — 最高反向工作电压，为 U(BR) / 2 3. IR — 反向电流(越小,单向导电性越好) 4. fM — 最高工作频率(超过时,单向导电性变差) 影响工作频率的原因 — PN 结的电容效应 以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、保护等等。 结论： (1) 低频时，因结电容很小，对 PN 结影响很小。 高频时，因容抗增大，使结电容分流，导致单向导电性变差。 (2) 结面积小时结电容小，工作频率高。 二极管：死区电压=0 .5V，正向压降?0.7V(硅二极管) 理想二极管：死区电压=0 ，正向压降=0 1.4 特殊二极管 一 . 稳压二极管 符号 工作条件：反向击穿 稳压二极管在工作时应反接，并串入一只电阻。 电阻的作用一是起限流作用，以保护稳压管；其次是当输入电压或负载电流变化时，通过该电阻上电压降的变化，取出误差信号以调节稳压管的工作电流，从而起到稳压作用。 二 . 光电二极管 又称为光敏二极管,反向电流随光照强度的增加而上升。 符号 实物照片 符号 三 . 发光二极管 工作条件：正向偏置 一般工作电流几十 mA，导通电压 (1 ? 2) V 1.二极管的伏安特性----正向特性、反向特性 小结 2.二极管的主要参数: IF 、URM 、IR 、fM 3.特殊二极管及其应用 模块二 　半导体三极管 2.1 晶体三极管 2.2 晶体三极管的特性曲线 2.3 晶体三极管的主要参数 2.4 特殊的晶体三极管 2.1 晶体三极管 一、结构、符号和分类 基极 发射极 NPN型 发射结 集电结 基本结构一 符号 E C B 集电极 N N P B E C B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区：较薄，掺杂浓度低 发射区：掺 杂浓度较高 制造工艺上的特点 集电区：面积较大, 掺杂浓度低 PNP型 B E C P P N 基极 发射极 集电极 E C B 符号 基本结构二 分类： 按材料分： 硅管、锗管 按功率分： 小功率管 500 mW 按结构分： NPN、 PNP 按使用频率分： 低频管、高频管 大功率管 1 W 中功率管 0.5 ?1 W 二 . 晶体管的电流放大作用 发射结正向偏置 集电结反向偏置 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。 （1）工作在放大状态的外部条件： NPN RC Rb VCC VBB + _ IB IC IE VCC (2)实现电路: (3)满足放大条件的三种电路 E C B ui uo E C B ui uo 共集电极 ui uo C E B 共发射极 共基极 (4) 三极管内部载流子的传输过程 (以NPN为例 ） I CN IE I CBO IB I BN 1)发射结加正向电压，发射区向基区注入电子，形成发射极电流IE。 3)电子到达基区后，由于集电结加反向电压，电子漂移运动形成集电极电流 ICN。 2)扩散到基区的电子与孔穴的复合形成基极电流 IBN 。 IC 基区的空穴来源： 基极电源提供(IB) 集电区少子漂移(ICBO) 所以 IBN ? IB + ICBO IB = IBN – ICBO IC = ICN + ICBO IE=IC+IB 　　当管子制成后，发射区载流子浓度、基区宽度、集电结面积等确定，故电流的比例关系确定，即： 若ICICEO， IE=IB+IC （5）晶体管的电流分配关系 三极管的电流放大作用 1．三极管的电流放大作用就是基极电流 I B 的微小 变 化控制了集电极电流 IC 较大的变化。 2．三极管放大电流时，被放大的 IC 是由电源 VCC 提供的，并不是三极管自身生成的，放大的实质是小信 号对大信号的控制作用。 3．三极管是一种