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* 专题八 电场 带电粒子在电场中的运动 一、带电体的分类 二、带电粒子在电场中的运动 1、带电粒子在电场中的平衡 2、带电粒子在电场中的直线运动 （2）在非匀强电场中 (1) 在匀强电场中 3、带电粒子在匀强电场中的偏转 （仅受电场力， v0垂直E 类平抛运动） 4、带电粒子在匀强电场中的偏转（受重力电场力， 做匀变速曲线运动） 1、基本粒子 2、带电颗粒 【例1】真空中的某装置如图5所示,其中平行金属板A、B之间有加速电场,C、D之间有偏转电场,M为荧光屏.今有质子、氘核和粒子均由A板从静止开始被加速电场加速后垂直于电场方向进入偏转电场,最后打在荧光屏上.已知质子、氘核和粒子的质量之比为1∶2∶4,电荷量之比为1∶1∶2,则下列判断中正确的是 ( ) A.三种粒子从B板运动到荧光屏经历的时间相同 1, B.三种粒子打到荧光屏上的位置相同 C.偏转电场的电场力对三种粒子做功之比为1∶2∶2 5,8 D.偏转电场的电场力对三种粒子做功之比为1∶2∶4 8,7 U0 U qU0=mv02/2 B W偏转=qEy∝ q 偏转电场的电场力对三种粒子做功之比为1∶1∶2 【例2】 如图9所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图.在Oxy平面的ABCD区域内，存在两个场强大小均为E的匀强电场Ⅰ和Ⅱ，两电场的边界均是边长为L的正方形（不计电子所受重力）。 （1）在该区域AB边的中点处由静止释放电子，求电子离开ABCD区域的位置. （2）在电场Ⅰ区域内适当位置由静止释放电子，电子恰能从ABCD区域左下角D处离开，求所有释放点的位置. （3）若将左侧电场Ⅱ整体水平向右移动L/n（n≥1），仍使电子从ABCD区域左下角D处离开（D不随电场移动），求在电场Ⅰ区域内由静止释放电子的所有位置。 F y （1） 电子离开ABCD区域的位置坐标为 （－2L，L/4) ） y=L/4 （2） 设释放点在电场区域I中，其坐标为（x，y），在电场I中电子被加速到v1，然后进入电场II做类平抛运动，并从D点离开 xy=L2/4 y x y=at2/2=eEL2/2v12m=L2/4x v0 eEx=mv12/2 v1 【例2】 如图9所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图.在Oxy平面的ABCD区域内，存在两个场强大小均为E的匀强电场Ⅰ和Ⅱ，两电场的边界均是边长为L的正方形（不计电子所受重力）。 （3）若将左侧电场Ⅱ整体水平向右移动L/n（n≥1），仍使电子从ABCD区域左下角D处离开（D不随电场移动），求在电场Ⅰ区域内由静止释放电子的所有位置。 （3） ） y x 设电子从（x，y）点释放，在电场I中加速到v2，进入电场II后做类平抛运动，在高度为y2处离开电场II时的情景与（2）中类似，然后电子做匀速直线运动，经过D点，则有 y1=at2/2=eEL2/2v22m=L2/4x y1 y1+y2=y y2 y2=L2/2nx v2 y2=vyt2=vy(L/nv2) L/n 拓展2：对偏移公式的讨论： 对于不同的带电粒子 （1）若以相同的速度射入， （2）若以相同的动能射入， 则 y∝q/m 则 y∝q 拓展2：对偏移公式的讨论： 对于不同的带电粒子 （1）若以相同的速度射入， （2）若以相同的动能射入， y与 q m无关,随加速电压的增大而减小，随偏转电压的增大而增大。 则 y∝q/m 则 y∝q （3）先由同一加速电场加速后，再进入偏转电场 匀变速曲线运动的一般研究方法就是正交分解法。将复杂的曲线运动分解为两个互相垂直方向上的直线运动。一般以初速度或合外力的方向为坐标轴进行分解。 一、带电粒子在电场中的偏转（受重力电场力， 做匀变速曲线运动） 【例3】如图6所示 ，在水平向右的匀强电场中，有一带电体P自O点竖直上抛，它的初动能为4J，当它上升到最高点M时动能为5J，则此带电体折回通过与O点在同一水平线上的O′点时，其动能多大？ 图6 v0 mg qE v1 E2=mv22/2=m[v02+(2v1)2]/2 =E0+4EM=24J E0=mv02/2=4J。 v2 2v1 EM=mv12/2=5J。 v0 tOM=tMO′ tOO′=2tOM v1=aEtOM aEtOO′=2v1 、在变化的电场中，带电粒子受变化的电场力的作用，其加速度也变化，此时应注意过程的分析． 【例4】 ．如图9所示，A、B是一对平行金属板，在两板间加上一周期为T的交变电压，A板的电势为零，B板的电势随时间变化的规律如图所示．一电子从A板上的小孔进入两板间的电场中，设电 子的初速度和重力可忽略不计，则[ ] A．若电子是在t=0时刻进入电场的，它将一直向B