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晶体管原理复习 CH2. 双极型晶体管（BJT） 名词解释 基区宽度调变效应（厄利效应）；基区扩展效应（kirk 效应）；发射结电流集边效应 2．下图为pnp双极型晶体管的载流子输运示意图１）试根据图示定义定义该晶体管的共基电流增益，共射电流增益，注入效率，　　　　　　　　基区输运系数。 ２）证明关系式；　　　　；成立。 　　 ３．画出pnp晶体管四种工作状态（放大，饱和，截止，反转）下 １）少子分布示意图。 ２）能带图。 3）画出BJT的输出特性曲线图，并在其上标注上述四种工作状态的位置。 ４．下图为一典型的npn晶体管的掺杂分布示意图，试从图示说明采取何种措施可提高晶体管的注入效率，基区输运系数。 ． ５．试述异质结晶体管(HBT)相对于同质结晶体管有哪些优势，并说明原因。 6．晶体管的频率响应延迟时间，即信号从发射极输入，从集电极输出的信号延迟时间为 1)试说出每个时间因子所代表的物理含义，并写出相关公式 　 2)要提高频率响应特性应采取什么措施？ 7．下图为某BJT的电流放大倍数的频率特性示意图， 1）定义截止频率，特征频率。 2）写出截止频率，特征频率之间的关系式。 8．双极晶体管的开关过程即晶体管从饱和区向截止区转换的过程，试定性描述晶体管的开关过程。 9.画出理想BJT的低频、高频小信号等效电路图CH3: MOSFET 名词解释： 平带电压，阈值电压，亚阈值电流，沟导电导，沟导跨导，短沟道效应,DIBL效应、热载流子效应、本体穿通，等比例缩小，CMOS器件的闩锁效应。 2。下图为一MOS器件半导体表面电荷密度随表面势的变化关系示意图，试在图上标出积累区，耗尽区，弱反型区，强反型区。 3．下图为某半导体薄膜的C-V示意图 1）判断该半导体的导电类型 2）定性说明高频C-V形成的物理过程。 3）低频，高频C-V曲线差异的形成原因。 4。简明叙述MOSFET的工作原理。 5．在推导MOSFET的电流-电压方程时作了哪几点假设?对于短沟道MOSFET这些假设是否合理，为什么？ 6．画出n沟道增强型，n沟道耗尽型，p沟道增强型，p沟道耗尽型MOSFET的结构示意图，输出特性曲线，转移特性曲线。 　　 7．已知MOSFET阈值电压的表达式为 试述控制阈值电压的因素有哪些。 8.画出理想MOSFET共源连接的低频、高频小信号等效电路。