晶体管十倍放大,模电必学.doc

电路设计： 晶体管十倍放大电路 性能指标: 电压增益： 10倍 最大输出电压： 5VP-P 频率特性： 1KHZ 输入输出阻抗 ： 任意 二、确定电源电压 为了输出5VP-P的输出电压。显然必须要在5V以上的电源电压。为了人使集电极电流流动，由于发射极电阻RE上最低加上1~2V的电压，所以电源电压最低必须为6~7V（（5+1）~（5+2）V）。在这里选取12V电源电压： VCC=12V三、选择晶体管 如图2所示，用NPN晶体管组装的电路 图2 用NPN型晶体管的共射放大电路 考虑晶体管的最大额定值，因为电源电压为12V，所以在集电极-基极和集电极-发射极间有可能最大加上12V电压。因此，选择集电-基极间电压VCBO与集电-发射极间电压VCEO的最大额定值为12V以上器件。 从满足前述最大额定值条件的器件中，在这里选择我们常用小信号晶体管S9013。在表1中，表示出S9013的特性。 S9013依直流电流放大系数hEF的大小分为O ~ BL四档。但从式（9）得，AV与hEF的大小无关。所以任一档hEF都没关系 四 静态工作点的计算 （IC 图1 首先，在图1所示的电路中，基极的直流电位VB（为的直流部分），用R1 和R2对电源电压VCC进行分压后电位，所以流进晶体管的基极电流的直流成分IB是很小，可以忽略，则  QUOTE VB=R8R1+R 发射极的直流电位VE（为ue的直流部分），比VB低的基极发射极间的电压VBE，设VBE=0.6V。则 VE=VB - 0.6 （V） （2） 发射极上流动的直流部分IE（为的直流部分）为： （A） (3) 设 所以集电极的直流电压VC（为的直流部分）为电流电压减去RC的压降而算得的值，所以VC为： VC= IE=IC+IB 基极电流为很小的值，原因：Ic 则IC=IE。则有 VC= 五、求交流电压放大倍数 在图1所示电路的交流放大倍数（交流增益） 由于晶体管的基极-发射极间存在的二极管是在导通情况下使用的（交流电阻为0），所以基极端子的交流电位（）直接地出现在发射极，因此由交流输入电压引起的的交流变化部分为： ?u （6） 令集电极电流的交流变化部分为，则的交流变化部分为： ?VC 认为集电极=发射极电流，则，所以 ?VC=? 用C2将的直流成分截去，交流输出信号的本身： 除去直流分量后：输出电压为 Uo= (9)式为Ui的电压变化引起的Uc的变化量 因此，该电路的交流电压放大倍数得 (10) 放大倍数与晶体管的直流电流放大系数hFE无关((因为设计的时候认为基极电流为0,所以与hEF无关)),而是由RC与RE之比来决定的。 六、确定RC和RE 如式（10）所示，电路的放大倍数是由RC与RE之比决定的，所以令=10， RC：RE=10：1 为了吸收基极-发射极间电压VBE随温度的变化，而使工作点（集电极电流）稳定，RE的直流压降必须在1V以上。这是因为VBE约为0.6V，它具有-2.5mV/oC的温度特性。在这里，取RE的压降为1V， QUOTE 12-vB114.5=vB22+vB-0.60.22β 得vB≈1.6 β取100 QUOTE RE=VEIE=RE×IEI QUOTE RC=RE×Au=1.1k 这里 V = QUOTE =12-6×1.16-2V QUOTE =3.04V =6.5V 晶体管的集电极损耗PC为： 七、基极偏置电路设计 设发射极电阻RE的压降=发射极电位，为VE=0.5V。由于VBE=0.6V,所以基极电位VB必须是1.1V。 由于基极电位是由R1+R5与R8对电源电压进行分压之后的电位，所以，如果设R8的压降为1.1V，R2的压降为10 另外，在晶体管的基极流动的基