第一章 半导体器件教学课件.ppt

* 1.5.3 三极管的特性曲线及主要参数 ② 放大区：输出特性曲线近似平坦的区域称为放大区。三极管工作在放大状态时，具有以下特点： （a）三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置；对NPN型的三极管，有电位关系：UCUBUE； （b）基极电流IB微小的变化会引起集电极电流IC较大的变化，有电流关系式：IC=βIB； （C） IC只受IB控制，几乎与UCE的大小无关； * 1.5.3 三极管的特性曲线及主要参数 ③ 饱和区 三极管工作在饱和状态时具有如下特点： （a）三极管的发射结和集电结均正向偏置，有电位关系UBUCUE （b）三极管的电流放大能力不足，通常有ICβIB； （c）规定UCE= UBE时的状态为临界饱和，称此时的电压UCE为三极管的饱和压降，用UCES表示。一般硅三极管的UCES约为0.3V，锗三极管的UCES约为0.1V； （d）三极管的集电极和发射极近似短接，三极管类似于一个开关导通。 三极管作为开关使用时，通常工作在截止和饱和导通状 态；作为放大元件使用时，一般要工作在放大状态。 * 1.5.3 三极管的特性曲线及主要参数 3、主要参数： （1）共发射极电流放大系数β(交流放大系数)和β(直流放大系数) 它是指从基极输入信号，从集电极输出信号，此种接法（共发射 极）下的电流放大系数。 （2）极间反向电流 ① 集电极基极间的反向饱和电流ICBO ② 集电极发射极间的穿透电流ICEO (衡量管子质量的指标) * 1.5.3 三极管的特性曲线及主要参数 （3）极限参数 ① 集电极最大允许电流ICM ② 集电极最大允许功率损耗PCM ③ 反向击穿电压U(BR)CEO * 1.5.3 三极管的特性曲线及主要参数 （4）温度对三极管参数的影响： ① 对β的影响：β随温度的升高而增大。 ② 对反向饱和电流ICBO的影响： ICBO随温度上升会急剧增加。 ③ 对发射结UBE的影响：温度升高， UBE将下降。 * 1.6 场效应管 场效应管是比较新型的半导体器件，利用电场效应来控制晶体管的电流，因而得名。 场效应管具有很高的输入电阻，几乎不取信号源的输出电流，因而功耗小，体积小，易于集成化。 场效应管被广泛应用于模拟集成电路和数字集成电路中。 * 1.6 场效应管 场效应管按其结构可分为结(J)型和绝缘栅(MOS)型场效应管； 从工作性能可分为耗尽型和增强型两类； 根据所用基片(衬底)材料不同，又可分P沟道和N沟道两种导电沟道； 因此，有结型P沟道和N沟道，绝缘栅耗尽型P沟道和N沟道，及增强型P沟道和N沟道六种类型场效应管。 * 1.6.1 结型场效应管 结型场效应管分为N沟道结型管和P沟道结型管，它们都具有3个电极：栅极、源极和漏极，分别与三极管的基极、发射极和集电极相对应。 * 1.6.1 结型场效应管 1、结型场效应管的结构与符号(以N沟道为例) 漏极 源极 栅极 场效应管电路符号上的箭头总是P指向N的。 * 1.6.1 结型场效应管 2、N沟道结型场效应管的工作原理 （1）当栅源电压UGS=0时，两个PN结的耗尽层比较窄，中间的N型导电沟道比较宽，沟道电阻小。 * 1.6.1 结型场效应管 （2）当UGS0时，两个PN结反向偏置，PN结的耗尽层变宽，中间的N型导电沟道相应变窄，沟道导通电阻增大。 * 1.6.1 结型场效应管 UGS＜UP时的导电沟道 * 1.6.1 结型场效应管 （3）当UPUGS≤0且UDS0时，可产生漏极电流ID。 ID的大小将随栅源电压UGS的变化而变化，从而实现电 压对漏极电流的控制作用。 为实现场效应管栅源电压对漏极电流的控制作用，结 型场效应管在工作时，栅极和源极之间的PN结必须反 向偏置。 * 1.6.1 结型场效应管 UGS和UDS共同作用的情况 UDS的存在，使得漏极附 近的电位高，而源极附 近的电位低，即沿N型导 电沟道从漏极到源极形 成一定的电位梯度，这 样靠近漏极附近的PN结 所加的反向偏置电压 大，耗尽层宽；靠近源 极附近的PN结反偏电压 小，耗尽层窄，导电沟 道成为一个楔形。 * 1.6.1 结型场效应管 3.结型场效应管的特性曲线及主要参数 （1）输出特性曲线 输出特性曲线是指栅源电压UGS一定时，漏极电流ID与漏 源电压UDS之间的关系曲线 * 1.6.1 结型场效应管 ① 可变电阻区：在UDS较小靠近特性曲线纵轴处， ID几乎随着UDS线性增加。随着UGS的改变，ID随UDS线性增加的比值也相应改变，因此，此区可把场效应管的漏、源极之间看作受UGS控制的可变电阻。 ② 恒流区(饱和区)：此区的特点是ID只受UGS的控制而几乎与UDS无关，具有恒流特点。因为ID不随UDS增大而增大，达