特种陶瓷(修改版).pptxVIP

;气敏陶瓷简介;由来： 人们在研制试验各种陶瓷时，发现半导体陶瓷作为气敏材料的灵敏度非常高。如薄膜状氧化锌气敏材料可检测氢气、氧气、乙烯和丙烯气体；以铂作催化剂时可检测乙烷和丙烷等烷烃类可燃性气体；氧化锡气敏材料可检测甲烷、乙烷等可燃性气体。氧化铱系材料是测氧分压最常用的敏感材料。 此外，氧化铁、氧化钨、氧化铝、氧化铝等氧化物都有一定的气敏特性。它们通过有选择地吸附气体，使半导体的表面能态发生改变，从而引起电导率的变化，以此确定某种未知气体及其浓度。目前探测诸如一氧化碳、酒精、煤气、苯、丙烷、氢、二氧化硫等气体的气敏陶瓷已经获得了成功 ;分类： 气敏陶瓷通常分为半导体式和固体电解质式两大类。 按制造方法又分为烧结型、厚膜型和薄膜型。 制造方法又分为烧结型、厚膜型和薄膜型。 按材料成分分为金属氧化物系列（ ZnO、材料成分分为金属氧化物系列（SnO2、ZnO和复合氧化物系列(通式为ABO Fe2O3、ZrO2)和复合氧化物系列(通式为ABO3)。 ;原理： 半导体气敏陶瓷的导电机理主要有能级生成理论和接触粒界势垒理论。按能级生成理论，当SnO2、ZnO等N型半导体陶瓷表面吸附还原性气体时，气体将电子给予半导体，并以正电荷与半导体相吸，而进入N型半导体内的电子又束缚少数载流子空穴，使空穴与电子的复合率降低，增大电子形成电流的能力 ，使陶瓷电阻值下降；当N型半导体陶瓷表面吸附氧化性气体时，气体将其空穴给予半导体，并以负离子形式与半导体相吸， 而进入N型半导体内的空穴使半导体内的电子数减少，因而陶瓷电阻值增大。接触粒界势垒理论则依据多晶半导体能带模型，在多晶界面存在势垒，当界面存在氧化性气体时势垒增加，存在还原性气体时势垒降低，从而导致阻值变化。 ;常用的气敏陶瓷材料有SnO2、ZnO和ZrO2。SnO2气敏陶瓷的特点是灵敏度高，且出现最高灵敏度的温度Tm较低（约300℃），最适于检测微量浓度气体，对气体的检测是可逆的，吸附、解析时间短。ZnO气敏陶瓷的气体选择性强。ZrO2系氧气敏感陶瓷是一种固体电解质陶瓷的快离子导体。因ZrO2固体中含有大量氧离子晶格空位，因此???造成氧离子导电。;发展方向： 从现在的水平来看，半导体气敏陶瓷元件的灵敏度高，有利于实现快速，连续及自动测量，结构及工艺简单、方便、价廉。缺点是稳定性、互换性不好，对不同气体分辨力差，在低温，常温条件下工作问题还有待．进一步解决，不易实现定量检测等。要解决现存问题需要从以下几个方面着手： (1)积极开展有关气敏半导体陶瓷材料基础理论的研究。必须进一步深入地开展对上述各项的研究，才能从新的理论基础上探讨解决气敏半导体陶瓷材料各种性能问题。 ;(2)提高材料的性能，积极寻找新材料。目前，氧化锡系、氧化锌系，氧化铁系等气敏半导体陶瓷材料已实用化，但性能还有待进一步提高。 (3)积极开展多功能化、微型化、集成化气敏半导体陶瓷元件的研制开发。今后气敏半导体陶瓷元件的发展方向将是短，小、轻、薄型化。 ;Fe2O3气敏陶瓷;a-Fe2O3气敏陶瓷粉体制备;主要的化学反应式有：; 值得引起注意的是，要获得颗粒度合适的粉体，不仅要选择合适的起始原料，而且要严格控制化学反应速度，以免出现粗颗粒的黑色Fe 3O4相。经研究表明，正常的反应产物，即絮状沉淀物，经烘干后基本上是无定形的。400摄氏度以上不同温度的锻烧后即可得到微观特征及性能不尽相同的a—Fe 2O3陶瓷超细粉体。采用液相共沉淀原理还可以制得各种不同掺 杂的a- Fe2 O3 陶瓷粉体 。;a-Fe2O3气敏陶瓷的气敏特性 —— 离子的作用;;图1是a-Fe2O3陶瓷的气体灵敏度与 离子的浓度关系曲线 ，更加直观明了地告诉我们陶瓷体中 离子对灵敏度的影响。中谷吉彦等认为 离子存在于a-Fe203陶瓷体中，降低了陶瓷的结晶率，抑制了晶粒的生长，从而使本性不活泼的a-Fe2O 3陶瓷变得活跃起来。;;图2中可以看出 ，陶瓷经过不同温度热处理后，陶瓷体中的 离子也有不同程度的减少，从而引起晶粒尺寸的增大和灵敏度的下降，也证明了上述中谷吉彦的观点。张伟达等 在研究a-Fe2O 3陶瓷超细粉的制备时，也发现类似的 离子对粉体的颗粒度和结晶率都具有相当的抑制作用。;; 我国的文佑平等的研究测试结果表明， 离子在a-Fe2 O3 陶瓷中的存在没有表现出明显的对灵敏度的改善作用，李旭华等对注浆成型的镍电板 a-Fe2O3。陶瓷元件的灵敏度研究结果，则完全不同于中谷青彦等的结果，他们在没有 离子存在的陶瓷中同样得到相当高的灵敏度。表2列出了文和李等的研究测定结果。文佑平等还用红外吸收光谱证实了