芯片发展历程与莫尔定律课件.ppt

芯片发展历程与莫尔定律;第1个晶体管的诞生;场效应晶体管理论 通过表面电荷调制半导体薄膜的电导 率 (Phys. Rev. 74, 232,1948) 1956 Nobel 物理奖：Bardeen, Brattain and Shockley ;1950-1956: 基本晶体管制造技术发展 ---从基于锗的器件转为硅衬底 ---从合金化制造 p/n结转变为扩散制备pn结 1950 扩散结(Hall, Dunlap; GE) 1952 结型场效应晶体管 ( Shockley; Bell Lab) 1954 第一个硅晶体管(TI：德州仪器）) 1955 扩散结和晶体管结合(Bell Lab) ;第1个集成电路的发明; 第一个Si单片电路IC-“微芯片” by R. Noyce (Fairchild, IC技术创始人之???); 1958-1960 基本IC工艺和器件进一步 --- 氧化工艺(Atalla; bell Lab) --- PN结隔离(K. Levovec) --- Al金属膜的蒸发制备 --- 平面工艺技术(J. Hoerni; Fairchild) 1959-63 MOS 器件与工艺 ---1959 MOS 电容 (J. Moll; Stanford) ---1960-63 Si表面和MOS器件研究 (Sah, Deal, Grove…) ---1962 PMOS (Fairchild); NMOSFET (美国无线电公司) ---1963 CMOS (Wanlass, Sah; Fairchild);From SSI to VLSI/ULSI;制造技术 Si 和其他材料的开发 器件物理 电路和系统 ---;集成度提高---新工艺技术;1978-1987 VLSI *精细光刻技术(电子束制备掩膜版) *等离子体和反应离子刻蚀技术 *磁控溅射制备薄膜 1988-1997 ULSI * 亚微米和深亚微米技术 * 深紫外光刻和图形技术;1998- 2007 SoC/SLSI, 纳米尺度CMOS *Cu 和 Low-k 互连技术 *High-k 栅氧化物 *绝缘体上SOI, etc 2008-;;Moores Law;Moore’s observation about silicon integration (cost, yield, and reliability) has fueled the worldwide technology revolution: IC miniaturization down to nanoscale and SoC based system integration.;莫尔定律的有效性——延续至今;莫尔定律的有效性——延续至今;莫尔定律——特征尺寸;集成电路的特征参数从1959年以来缩小了140倍 平均晶体管价格降低了107倍。 特征尺寸：10微米-1.0微米-0.8μ（亚微米 ）→半微米 0.5 μ→深亚微米 0.35μ, 0.25μ, 0.18μ, 0.13μ → 纳米 90 nm →65 nm → 45nm 32nm/2009 →28nm/2011 →22nm/2012;MOS尺寸缩小 ;全球最大代工厂商台积电是唯一一家具体公布20nm工艺量产时间的企业——预定2012年下半年量产 台积电（TSMC）于2010夏季动工建设的新工厂打算支持直至7nm工艺的量产 英特尔——微细化竞争中固守头把交椅。从英特尔的发展蓝图来看，预计该公司将从2011年下半年开始22nm工艺的量产。 美国Achronix半导体（Achronix Semiconductor）于当地时间2010年11月1日宣布，将采用英特尔的22nm级工艺制造该公司的新型FPGA“Speedster22i” CMOS技术的观点而言，22～20nm工艺对各公司来说均是32～28nm工艺的延伸技术，也就是说很可能会通过使用高介电率（high-k）栅极绝缘膜/金属栅极的平面（Plane）CMOS来实现。那么，15nm工艺以后的CMOS技术又将如何发展？ ;SOC与IC的设计原理是不同的，它是微电子设计领域的一场革命。 SOC是从整个系统的角度出发，把处理机制、模型算法、软件（特别是芯片上的操作系统-嵌入式的操作系统）、芯片结构、各层次电路直至器件的设计紧密结合起来，在单个芯片上完成整个系统的功能。它的设计必须从系统行为级开始自顶向下（Top-Down）。 ;;10纳米以下的碳纳米管;MEMS技术将微电子技术和精密机械加工技术相互融合，实现了微电子与机械融为一体的系统。 微电子与生物技术紧密结合的以DNA芯片等为代表的生物工程芯片将是21世纪微电子领域的另一个热点和新的经济增长点。? 采用微电