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PECVD工艺原理及操作;;; 直流溅射 ;;其它方法的沉积温度：
APCVD —常压CVD，700-1000℃
LPCVD —低压CVD， 750℃，0.1mbar
PECVD — 300-450 ℃，0.1mbar
PECVD的一个基本特征是实现了薄膜沉积工艺的低温化（450℃）。因此带来的好处：
节省能源，降低成本
提高产能
减少了高温导致的硅片中少子寿命衰减
其他优点：
沉积速率快
成膜质量好
缺点：
设备投资大、成本高，对气体的纯度要求高
镀膜过程中产生的剧烈噪音、辐射、粉尘等对人体有害;;;PECVD;;
王松;;;;;; 管式PECVD系统;
王松;
王松;
王松;压力;;;;;;;;;;;;;;基本操作_板P;;;;基本操作_管P;;白圈;;
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