江苏师范大学无机化学课件10.pptVIP

第十章 固体结构 §10.1 晶体结构和类型 10.1.1 晶体结构的特征与晶格理论 10.1.2 晶体缺陷 10.1.3 非晶体 准晶体 准晶体是介于非晶体和晶体之间的一种新物质。 准晶体是具有准周期平移格子构造的固体，其中的质点常呈定向有序排列，但不作周期性平移重复，其对称要素含与晶体空间点阵不相容的对称。 10.1.4 晶体类型 §10.2 金属晶体 10.2.1 金属晶体的结构 10.2.2 金属键理论 §10.3 离子晶体 10.3.1 离子晶体的结构 10.3.2 晶格能 10.3.3 离子极化 §10.4 分子晶体 10.4.1 分子的偶极矩和极化率 10.4.2 分子间的吸引作用 10.4.3 氢键 §10.5 层状晶体 晶胞中离子的个数： ⑶ ZnS型(立方型) 晶格：面心立方 (红球－Zn2+ , 绿球－S2-) 配位比：4:4 另一种纤锌矿为六方ZnS型，S2-采用六方密堆积，Zn2+填充在一半的四面体空隙之中。配位比也是4:4。 2. 其他类型的离子晶体 ⑴CaF2型：萤石矿，Ca2+为面心立方密堆积，F-占据所有的四面体空隙。Ca2+的配位数是8，F-的配位数是4，配位比8:4。 ⑵TiO2型：金红石矿，O2-近似具有六方密堆积结构，Ti4+占据半数的八面体空隙。Ti4+的配位数是6，O2-的配位数是3，配位比6:3。 ⑶CaTiO3型：钙钛矿，为ABX3型的代表。每个A原子周围有12个X原子，而每个B原子周围有6个X原子。A和B两种离子的电荷总数必须为6(A2+，B4+或A3+，B3+)。可以看成是CaO和TiO2的混合物。 Ti O Ca 3. 离子半径与配位数 离子半径一般指离子晶体中正负离子的核间距是正负离子半径之和。 半径比(r+/r-)规则： NaCl晶体 其中一层横截面： 理想的稳定结构(NaCl) 配位数 构型 0.225 → 0.414 4 ZnS 型 0.414 → 0.732 6 NaCl 型 0.732 → 1.00 8 CsCl 型 半径比规则 定义：在标准状态下，按下列化学反应计量式使离子晶体变为气体正离子和气态负离子时所吸收的能量称为晶格能，用U 表示。 U MaXb(s) aMb+(g) + bXa-(g) (g) Cl + (g) Na NaCl(s) - + 例如： 1. Born-Haber循环 K(g) Br (g) U - + KBr(s) + 升华焓 电离能 气化热 电子亲和能 则：U =689.1kJ·mol-1 =89.2kJ·mol-1 =418.8kJ·mol-1 =15.5kJ·mol-1 =96.5kJ·mol-1 =-324.7kJ·mol-1 =-689.1kJ·mol-1 =295.3kJ·mol-1 上述数据代入上式求得： + + + + + = 2. Born-Landé公式 式中： R0—正负离子核间距离， Z1，Z2 —分别为正负离子电荷的绝对值， A —Madelung常数,与晶体类型有关， n —Born指数,与离子电子层结构类型有关。 A的取值： n的取值： 2.408 2.519 1.641 1.638 1.748 1.763 A TiO2 CaF2 六方ZnS 立方ZnS NaCl CsCl 结构 3.Калустинский公式 ：晶体分子式中正离子的个数 ：晶体分子式中负离子的个数 影响晶格能的因素： ① 离子的电荷(晶体类型相同时) ② 离子的半径(晶体类型相同时) ③ 晶体的结构类型 ④ 离子电子层结构类型 Z↑，U↑ 例：U(NaCl)U(MgO) R↑，U↓ 例：U(MgO)U(CaO) 离子电荷数大,离子半径小的离子晶体晶格能大,相应表现为熔点高、硬度大等性能。 晶格能对离子晶体物理性质的影响： 描述一个离子对其他离子变形的影响能力。 离子的极化力(f )： 描述离子本身变形性的物理量。 离子的极化率(α)： 未极化的负离子 极化的负离子 1.离子的极化率(α) ① 离子半径 r ： r 愈大， α愈大。 如α：Li+Na+K+Rb+Cs+；F-Cl-Br-I- ② 负离子极化率大于正离子的极化率。 ③ 离子电荷：正离子电荷少的极化率大。 如：α(Na+) α(Mg2+) ④离子电荷：负离子电荷多的极化率大。 如：α(S2-) α(Cl-) ⑤离子电子层构型:(18+2)e-,18e-9?17e-8e- 如：α(Cd2+) α(Ca2+)； α(Cu+