电子制造技术基础总结课.ppt

电子制造技术基础 总结课 主 要 内 容 电子制造概述 芯片设计与制造技术 元器件的互连封装技术 无源元件制造技术 微机电系统工艺技术 封装基板技术 电子组装技术 封装材料 微电子制造设备 第一章 电子制造概述 广义的电子制造包括电子产品从市场分析、经营决策、工程设计、加工装配、质量控制、销售运输直至售后服务的全过程。 狭义的电子制造，是指电子产品从硅片开始到产品系统的物理实现过程。 本课程讲述的主要内容属于狭义的电子制造。 第二章 集成电路物理基础 什么是半导体？ 按固体的导电能力区分，可以区分为导体、半导体和绝缘体. 表2.1 导体、半导体和绝缘体的电阻率范围 半导体的重要特性： 温度升高使半导体导电能力增强，电阻率下降. 微量杂质含量可以显著改变半导体的导电能力. 适当波长的光照可以改变半导体的导电能力. 半导体的导电能力还随电场、磁场等的作用而改变. 半导体材料 1、*本征半导体：处于纯净的状态而不是掺杂了其他物质的半导体。 有两类本征半导体： 半导体元素 硅和锗 化合物材料 砷化镓和磷化镓 2、**掺杂半导体：（1） 施主杂质 n （2）受主杂质 p （3） 载流子的迁移率 3、***半导体材料： （1）硅和锗（两种重要的半导体） （2）砷化镓 （3）硅作为电子材料的优势 版 图 设 计 概 述 版图(Layout)是集成电路设计者将设计并模拟优化后的电路转化成的一系列几何图形，它包含了集成电路尺寸大小、各层拓扑定义等有关器件的所有物理信息。集成电路制造厂家根据这些信息来制造掩膜。 版图在设计的过程中要进行定期的检查，避免错误的积累而导致难以修改。很多集成电路的设计软件都有设计版图的功能，CadenceDesign System就是其中最突出的一种。Cadence提供称之为Virtuoso的版图设计软件帮助设计者在图形方式下绘制版图。 微电子制造工艺 硅晶圆制造 光刻 + 刻蚀 氧化工艺 掺杂工艺 （扩散+离子注入） 微电子制造工艺 光刻概述 光刻(photolithography)是在光的作用下，使图像从母版向另一种介质转移的过程。母版就是光刻版，是一种由透光区和不透光区组成的玻璃版。 即将掩模版（光刻版）上的几何图形转移到覆盖在半导体衬底表面的对光辐照敏感薄膜材料（光刻胶）上去的工艺过程 。 分辨率、 焦深、 对比度、 特征线宽控制、 对准和套刻精度、 产率以及价格。 光刻胶与掩膜版 光刻三要素：光刻胶、掩膜版和光刻机 一、 光刻胶 光刻胶又叫光致抗蚀剂，它是由光敏化合物、基体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体 光刻胶受到特定波长光线的作用后，导致其化学结构发生变化，使光刻胶在某种特定显影溶液中的溶解特性改变 氧 化 工 艺 二氧化硅是微电子工艺中采用最多的介质薄膜。 二氧化硅薄膜的制备方法有： 热氧化 化学气相淀积 物理法淀积 阳极氧化等 热氧化是最常用的氧化方法，需要消耗硅衬底，是一种本征氧化法。 硅的热氧化 热氧化制备SiO2工艺就是在高温和氧化物质（氧气或者水汽）存在条件下，在清洁的硅片表面上生长出所需厚度的二氧化硅。 热氧化是在Si/SiO2界面进行，通过扩散和化学反应实现。O2或H2O，在生成的二氧化硅内扩散，到达Si/SiO2界面后再与Si反应， O2+Si → SiO2； H2O+Si → SiO2+H2 ， 硅被消耗，所以硅片变薄，氧化层增厚。 生长1μm厚SiO2 约消耗0.44μm 厚的硅 热氧化方法 干氧氧化：氧化膜致密性最好，针孔密度小，薄膜表面干燥，适合光刻，但是生长速率最慢； 湿氧氧化：氧化膜较干氧氧化膜疏松，针孔密度大，表面含水汽，光刻性能不如干氧，容易浮胶。湿氧与干氧比，水温越高，水汽就越多，二氧化硅生长速率也就越快； 水蒸汽氧化：在三种热氧化方法中氧化膜致密性最差，针孔密度最大，薄膜表面潮湿，光刻难，浮