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Elliptically Polarized 条件： 且 ——这是椭圆方程 长轴同x轴夹角： 动画演示 第7章 平面波在无界媒质中的传播 主要内容 1. 波动方程及其解 2. 理想介质中的平面波 电磁波的极化（偏振） 3. 导电媒质中的平面波 (选学) 损耗角正切tanδ及物质分类 4. 良介质中的平面波 (选学) 5. 良导体中的平面波 趋肤效应 良导体的表面阻抗 导电媒质的损耗功率 在各向同性, 均匀, 无源, 有损耗的媒质中 电场的波动方程： 磁场的波动方程： 同理 For time harmonic field, 综合考虑入射波(z方向)和反射波(反方向)： 媒质中的均匀平面波 Ex Hy +z方向 －z方向 类似于理想介质中波动方程的标量解: 无限媒质中均匀平面波的复数解 只有入射波而无反射波 各向同性, 均匀 无源, 有损耗 麦克斯韦方程 无源波动方程 均匀平面波 （只有Ex，Hy） 简谐波 解 均匀平面波的一些参量 (1) 等效介电常数——复介电常数 e e e --- effective (2) 传播常数 γ=α+jβ γ=α+jβ α为媒质的衰减常数,表示沿传播方向,每单位长度的幅度衰减。 β为导电媒质中的相移常数。 (3) 等效阻抗 ηe (4) 波的相速度 v (5) 对比能量密度 理想介质中的平面波 we = wm 媒质中的平面波 we wm 第7章 平面波在无界媒质中的传播 主要内容 1. 波动方程及其解 2. 理想介质中的平面波 电磁波的极化（偏振） 3. 导电媒质中的平面波 损耗角正切tanδ及物质分类 4. 良介质中的平面波 5. 良导体中的平面波 趋肤效应 良导体的表面阻抗 导电媒质的损耗功率 高频、超高频通信中的各种介质材料都应属良介质. 介质谐振腔的介质块、微波集成电路用的陶瓷片(Al2O3)、光导纤维(SiO2)等都是非常优质的介质材料. 良介质——低损耗介质 或 对于良介质 同理 例题 书p239 例7.3 无他，代入公式计算…… 第7章 平面波在无界媒质中的传播 主要内容 1. 波动方程及其解 2. 理想介质中的平面波 电磁波的极化（偏振） 3. 导电媒质中的平面波 损耗角正切tanδ及物质分类 4. 良介质中的平面波 5. 良导体中的平面波 趋肤效应 良导体的表面阻抗 导电媒质的损耗功率 良导体中平面波的解 γ=α+jβ 电场和磁场相差45o 传播速度： 良导体中电磁波的速度是频率的函数,是色散波。 越是良导体, s越大, 电磁波的传播速度反而越慢。 请看例题：书P240 例7.4 “良导体”不是绝对的，与工作频率有关。 衰减速度与工作频率有关, 与材料有关。 为什么海底探测时用“声纳”（频率很低的波） 场的幅度依 e－az 规律衰减, 当幅度仅有原来的1/e时所对应的z就是趋肤深度 (d )。 趋肤深度 良导体 趋肤深度就是交变电磁波渗透入物质的深度。 良导体s很大, 因此渗透深度很小, 频率大时渗透更小. 交变电磁场进入导体表面后很快就衰减殆尽, “势力范围”只在离表面很浅的导体中, 顾名思义”趋肤深度”。 良导体 表面阻抗 ZS 交变电磁波进入良导体表面后按指数规律迅速衰减，因此良导体的阻抗特性主要表现为表面阻抗，即导体内表附近的欧姆定律形式。 Et表示在导体内表的切向电场。 JS表示在导体内单位宽度无限高度上传导电流的体密度。 γ=α+jβ Et表示在导体内表的切向电场。 JS表示在导体内单位宽度无限高度上传导电流的体密度 对于良导体： 表面电阻率： 良导体中交变电场比磁场相位超前45o。 表面电抗率：XS为正值且和RS相等,即该电抗是感性的。 这样一个交流电阻等效于——单位宽度、单位长度(即单位表面积)而沿z方向的厚度仅为趋肤深度——的直流电阻。 电磁场与电磁波 北京邮电大学 第7章 平面波 * §1. 波动方程 Wave Equations 交变电磁场具有波动性： ——交变的电场产生交变的磁场。 ——交变磁场又产生交变的电场。 这种交变的电场、磁场互相产生的现象无限地循环下去。 于是它们脱离场源，由近及远地传播出去，形成电磁波。 各向同性, 均匀 无源, 无损耗 麦克斯韦方程 无源波动方程 Y,Z方程类似，H类似,共6个 随一维空间变化的波动方程 Y,Z方程类似，H类似,共6个 E,H只是z的函数，与xy无关 解 Y,Z方程类似，H类似,共6个 均匀平面波 （只有Ex，Hy） 均匀平面波的波动方程 复形式数 解 在各向同性, 均匀, 无源, 无损耗的介质中 无源 无源 电场的波动方程： 磁场的波动方程： 同理 ——都是2阶偏微分矢量方程。 注意条件：在各向同性, 均匀, 无源, 无损耗的介质中 如何求解？