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《集成电路制造工艺》单元设计2 教学单元名称：衬底材料制备 授课班级 微电141、142 课时 4 授课地点 SB304 授课教师 余建 授课时间 第1周周四 5-8节 单元教学目标 能力目标 （1）熟悉西门子工艺、改良西门子工艺、硅烷热分解法制备高纯多晶硅工艺流程； （2）能够根据实际需求，选择合适方式制备满足纯度要求的高纯多晶硅料； （3）掌握单晶炉结构构造； （4）能够编制直拉法制备8英寸大直径单晶硅工艺文件； 2、知识目标 （1）熟悉几种典型的高纯多晶硅制备方式工艺原理及其优缺点； （2）单晶炉结构构造及各部件功能 （3）熟悉直拉法制备8英寸大直径单晶硅工艺流程； （4）熟悉单晶硅质量缺陷类型及晶体完美化处理工艺； 3、素质目标 （1）培养学生分析问题和解决实际问题的能力。 （2）培养了学生初步的工艺分析能力和创新意识在工作过程中培养严谨细致的工作作风。 单元教学内容 1、明确教学目标 2、明确教学考核要求与方式 3、教学主要内容 3.1IC发展与晶圆直径大小的关系 3.2高纯多晶硅制备方式及各自特点 3.3单晶炉结构构造 3.4直拉法制备大直径单晶硅工艺流程 3.5晶体缺陷类型 3.6晶体完美化处理 3.7教学评价与反馈 单元教学重难点 教学重点： 1、IC发展与晶圆直径的关系； 2、直拉法制备大直径单晶硅工艺流程； 教学难点： 1、金属多层布线与晶圆直径的关系； 2、晶体内部缺陷及其消除措施； 单元教学方法选取 “启发式教学”（注重分析）、“项目分析式教学”（任务驱动、项目导向）“分组讨论”（学生两人协作） 教学材料 教学工具 学生准备 1、教学课件 2、任务书、评价表 3、8英寸单晶硅样品 多媒体教学设备； 1、课前预习相关任务 2、收集直拉法制备单晶硅资料 教学实施 主要步骤 教学内容 教学方法、手段 师生活动 计划时间 课程内容引入 教师讲解单晶硅在集成电路中的重要用途； 启发式教学 教师提问 15min 新知识学习 高纯多晶硅制备方式 直拉法制备大直径单晶硅设备及工艺流程 教师操作示范 教师示范 学生观摩 15min 计划 任务布置：4名同学为一组，分工协作，分析讨论大直径单晶硅制备方式方法； 启发式教学、小组讨论 教师讲授 学生参与内容分析 15min 决策 根据加工场所的实际情况，编制利用直拉法制备8英寸大直径单晶硅工艺文件； 启发式教学、小组讨论 学生汇报教师点评 15min 项目实施 原料、掺杂杂质、系统、工具清洗 根据实际需求，选择合适的籽晶； 编制直拉法制备8英寸大直径单晶硅工艺文件； 根据单晶硅内部缺陷，分析其来源，提出问题解决方法； 任务驱动法、分工协作 学生现场操作，完成整个工作任务，教师指导 65min 检查评估 学生交换工位进行互评，并在评估表格上打分； 教师对互评结果进行评价，并进行教师检查评估； 学生分组递交检查评估表格，教师按照工位对程序运行结果进行评价 学生汇报教师点评 15min 任务总结 课后分析本次工作任务中出现的问题，提出改进措施； 自我反馈 课后实践 15min 单元教学考核方案设计 本次课教学目标达成情况考核总分10分，占总课程的10% 1、过程考核（5分，包括课堂笔记记载情况、考勤情况、上课认真听讲情况、回答问题情况） 2、终结考核（5分，考核学生完成本次工作任务的实际情况；在完成本次任务过程中，操作不规范，或任务未能 ，酌情扣分）。 课后作业与任务 课后分析本次工作任务中出现的问题，提出改进措施； 预习下一任务内容； （3）布置相关作业； 课后体会