数字电子技术基础第07章(简化).pptVIP

第七章 半导体存储器 第七章 半导体存储器 7.1 概述 能存储大量二值信息的器件 一、一般结构形式 二、分类 1、从存/取功能分： ①只读存储器 (Read-Only-Memory） ②随机读/写 （Random-Access-Memory） 2、从工艺分： ①双极型 ②MOS型 7.2 ROM 7.2.1 掩模ROM 一、结构 两个概念： 存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”，存储单元中有器件存入“1”，无器件存入“0” 存储器的容量：“字数 ×位数” 掩模ROM的特点： 出厂时已经固定，不能更改，适合大量生产 简单，便宜，非易失性 7.2.2 可编程ROM（PROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 7.2.2 可编程ROM（PROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 7.2.3 可擦除的可编程ROM（EPROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 EPROM E2PROM 一、用紫外线擦除的PROM（UVEPROM） 二、电可擦除的可编程ROM（E2PROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 三、快闪存储器（Flash Memory） 为提高集成度，省去T2（选通管） 改用叠栅MOS管（类似SIMOS管） 7.3 随机存储器RAM 7.3.1 静态随机存储器（SRAM） 一、结构与工作原理 一种简单的读/写控制电路 二、SRAM的存储单元 7.3.2* 动态随机存储器（DRAM） 动态存储单元是利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理 7.4 存储器容量的扩展 7.4.1 位扩展方式 适用于每片RAM,ROM字数够用而位数不够时 接法：将各片的地址线、读写线、片选线并联即可 7.4.2 字扩展方式 适用于每片RAM,ROM位数够用而字数不够时 例2 7.5 用存储器实现组合逻辑函数 一、基本原理 从ROM的数据表可见： 若以地址线为输入变量，则数据线即为一组关于地址变量的逻辑函数 二、举例1. 用ROM设计一个八段字符显示的译码器 2. 用ROM产生如下一组多输出逻辑函数 例 试用ROM构成能实现函数y=x2的运算表电路，x的取值范围为0～15的正整数。 解： (1) 分析要求、设定变量 自变量x的取值范围为0～15的正整数，对应的4位二进制正整数， 用B=B3B2B1B0表示。根据y=x2的运算关系，可求出y的最大值是 152＝225，可以用8位二进制数Y=Y7Y6Y5Y4Y3Y2Y1Y0表示。 (4) 画ROM存储矩阵节点连接图为做图方便，可将ROM矩阵中的二极管用节点表示。 常用ROM和RAM举例 本章小结 1．半导体存储器是现代数字系统特别是计算机系统中的重要组成部件，它可分为RAM和ROM两大类，绝大多数属于MOS工艺制成的大规模数字集成电路。 3．ROM是一种非易失性的存储器，它存储的是固定数据，一般只能被读出。根据数据写入方式的不同，ROM又可分成固定ROM和可编程ROM。后者又可细分为PROM、EPROM、E2PROM和快闪存储器等，特别是E2ROM和快闪存储器可以进行电擦写，已兼有了RAM的特性。 7.9 用16*4的ROM设计2位二进制乘法器电路 7.9 用16*4的ROM设计2位二进制乘法器电路 ROM点阵图 (2) 列真值表—函数运算表 B3 B2 B1 B0 Y7 Y6 Y5 Y4 Y3 Y2 Y1 Y0 十进制数 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 1 1 0 0 1 0 0 0 0 0 0 1 0 0 4 0 0 1 1 0 0 0 0 1 0 0 1 9 0 1 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 16 0 1 0 1 0 0 0 1 1 0 0 1 25 0 1 1 0 0 0 1