反向偏压调制下I型阱结构体系光致发光特性的研究.docVIP

PAGE PAGE 1 反向偏压调制下I型阱结构体系光致发光特性的研究 　　摘要：实验过程中研究了8-hydroxyq-uinolinealuminum（Alq3）和2-（4-biphenylyl）-5（4-tert-butyl-phenyl）-1，3，4-oxadiazole（PBD）构成的I型有机阱结构器件在反向偏压调制下的光致发光。器件的光致发光光谱主要是Alq3的发光。不同周期数的阱结构器件在反向电场作用下，光致发光的猝灭程度不同。 　　关键词：光致发光；猝灭；阱结构；光谱 　　中图分类号：O482.3文献标识码：A 　　1引言 　　量子阱结构器件首次于1970年在无机半导体领域中被研究[1]。对无机半导体材料量子阱的研究，给半导体科学注入了新的活力[2-5]。在无机半导体激光器的研究方面，量子阱结构是改善器件性能的重要途径之一。量子阱结构具有降低状态密度、提高增益、降低阈值、提高调制带宽、改善注入稳定性等优点。由无机半导体材料制成的半导体量子阱结构器件，表现出许多特殊的与量子尺寸效应相关的输运特性和光学性质。由于量子阱结构器件具备这些优越特性，人们把量子阱结构引入到有机发光器件中，以期望提高有机器件的性能。So和他的合作者们首次研究了有机阱结构器件[6-7]。他们报道了由3、4、9、10perylenetetracarboxylicdianhydride（PTCD