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*Institute of Microelectronics Circuit System 半导体器件原理 2009.06.22 第三章 双极结型晶体管 --复习 第一章 绪论 介绍晶体管的发明历史，简要介绍半导体器件的基本概念及其重要性，使学生对半导体器件有一个全面的认识。简单回顾半导体器件原理中需要用的半导体物理知识。 第二章 PN结 2.1 平衡PN结 掌握PN结的特性及作用，结构、形成和杂质分布特点，能够区分突变结、缓变结，主要分析突变结。掌握PN结平衡的条件，以及空间电荷区形成的原理及特性。 2.2 PN结的直流特性 　掌握PN结单向导电的直流特性、原理及用途。 2.3 PN结电容 　掌握PN结具有的电容特性和原理，PN结电容的计算方法。 2.4 PN结击穿 掌握PN结击穿的常见机制，雪崩击穿，齐纳击穿，热击穿的原理。 2.5 二极管的开关作用 掌握利用二极管单向导电性特点形成开关的原理，掌握表征开关特性的参数，反向恢复时间的意义和影响因素，优化措施。 第三章 双极结型晶体管 3.1 晶体管的直流特性 3.1.1 基本结构与分类 掌握晶体管的分类、结构特点与杂质分布特点，少子分布与能带图。 3.1.2 晶体管的放大机理 掌握晶体管基本的工作原理，电流输运的过程，具有电流放大能力的原理，以及直流特性曲线。 3.1.3 均匀基区晶体管的电流放大系数 掌握方块电阻、发射效率、基区输运系数、基区渡越时间概念，均匀基区晶体管的电流增益的表达式。 3.1.4 漂移晶体管的电流放大系数 掌握基区自建电场的概念，电流增益的表达，提高电流放大倍数的措施，以及电流增益的影响因素。理解与均匀基区晶体管特性的差别及原因。 3.1.5 晶体管的直流电流电压方程 了解晶体管的直流特性、倒相管与正向管的互易关系，掌握基区宽变效应。 3.1.6 晶体管的反向电流和击穿电压 掌握晶体管反向电流、击穿电压的概念，了解晶体管工作反向电流对晶体管特性的影响，了解晶体管的击穿电压的计算及影响因素。 3.1.7 晶体管的基极电阻 了解晶体管的基极电阻概念，掌握减小基极电阻的方法。 3.2 晶体管的频率特性 掌握晶体管中高频小信号电流的变化过程，晶体管电流放大系数随频率升高而下降的特性及原理。 掌握晶体管频率特性的重要参数，时间常数、截止频率、特征频率和最高频率。以及各频率参数的影响因素，提高 频率特性的可行性措施。 了解晶体管的高频参数与等效电路。掌握晶体管功率放大原理，功率增益随频率升高下降的特性和原因以及最高振荡频率的意义及影响因素。 3.3 晶体管的功率特性 掌握晶体管工作的大注入条件、基区电导调制效应、自建电场及对基区渡越时间和输运系数的影响、对晶体管电流增益的影响，以及对晶体管工作区域的限制，有效基区扩展效应的概念及对电流增益的影响，电流集边效应、电流容量的概念。 掌握晶体管耗散功率、最高结温、最大耗散功率的概念，提高最大耗散功率的措施。 掌握晶体管安全工作区的意义及确定方法。 了解晶体管的噪声特性。 3.4 晶体管的开关过程 掌握晶体管充当开关的原理、开关过程，及表征开关特性的开关常数，延迟时间、上升时间、超量储存电荷消失时间和下降时间，及各参数的影响因素和优化措施。 第四章 绝缘栅场效应晶体管 3.1 MOSFET的基本特性 掌握MOS场效应晶体管的结构、工作原理和分类原则。掌握各类MOS场效应晶体管的特性曲线及相互的差别。 掌握半导体表面表面势、MOS结构的阈值电压意义、计算方法。 掌握MOS场效应晶体管的阈值电压的意义、影响因素及各类MOS场效应晶体管的阈值电压的计算方法。 掌握MOS场效应晶体管的电流－电压特性，I-V方程表达式。 掌握MOSFET直流参数的概念、阈电压和截止漏电流的温度特性。掌握MOSFET增量参数的表达方式和影响因素。 掌握MOS场效应晶体管的频率特性，表征参数特征频率的意义及计算方法，如何提高MOS场效应晶体管的频率特性，了解MOS场效应晶体管的高频等效电路。 掌握MOS场效应晶体管的开关作用原理的工作特性，表征开关特性的开关常数，开启时间和关闭时间。掌握MOS倒相器的分类，工作原理和特性差别。 3.2 短沟道效应 掌握小尺寸MOS器件中的小尺寸效应、短沟道效应、窄沟道效应、漏诱生势垒降低效应，以及长沟道器件判定式。掌握MOS晶体管的热载流子效应。 3.3 微电子器件的发展方向 了解MOSFET恒场按比例缩小法则、MEMS技术和DNA技术的基本概念。 谢谢大家! *Ins