稳态脉冲等离子体作用下钨材料的损伤行为总结会.ppt

稳态/脉冲等离子体作用下钨材料的损伤行为 ELMs瞬态高热流 研究在稳态等离子体和ELMs瞬态高热流作用下，W材料的损伤行为。 表面起泡 稳态D等离子体 清华大学 选题背景 背景 瞬态高热流 ELMs VDE Disruption 清华大学 顺序辐照实验： 进行稳态D等离子体辐照； 再进行脉冲等离子体辐照。 同时辐照实验： 同时进行稳态和脉冲等离子体辐照。 Pilot-PSI 稳态/脉冲等离子体 实验 Step 1: 稳态D等离子体进行辐照 原始样品 500K 1000K 清华大学 稳态和脉冲等离子体顺序辐照 Step 2: 稳态/脉冲等离子体辐照 ΔT 基底温度 本研究 ELMs 稳态等离子体 等离子体种类 H D和T 束流强度（m-2s-1） 1*1024 ~1024 辐照剂量（m-2） 1*1025 1027 粒子能量（eV） ~2 1-100 脉冲等离子体 能量密度（MJ/m2） 0.3 0.5 脉冲频率（Hz） 0, 2, 10 30-60 脉冲时间（ms） ~0.7 0.25-0.5 脉冲次数 0, 10, 50 106 粒子能量：40eV 粒子束流强度：1×1024m-2s-1 辐照剂量：6×1026m-2 清华大学 起泡长大开裂 第二步辐照前 第二步辐照后 Sample Number of Pulses △T @500K 50 800 第二步辐照前 第二步辐照后 在经过脉冲等离子辐照后，起泡出现长大和开裂现象，而在其他区域并没有出现明显变化。说明表面起泡对于W材料在高热流下的行为有负面影响。 清华大学 起泡开裂 原始样品 第一步辐照 @500K @1000K 第二步辐照 0次 脉冲 10次 脉冲 50次 脉冲 起泡开裂 起泡开裂 未开裂 未开裂 未开裂 未开裂 未起泡 未开裂 稳态等离子辐照并没有造成起泡长大和开裂行为，因此开裂是由脉冲等离子体造成的。 并非起泡结构造成的热疲劳开裂。 清华大学 开裂机制 等离子体脉冲对表面起泡可能造成两方面影响 原始样品+50次脉冲 500K辐照样品+10次脉冲 表面并没有出现表面起泡现象，说明脉冲对于滞留量的并没有太多贡献，可能是由于第二步辐照中H粒子能量较低所造成的。 10次等离子体脉冲持续的总时间长度不到10ms，在此期间积累的H滞留量基本可以忽略，但是在10次脉冲辐照后起泡仍然出现了开裂现象。 等离子体脉冲 起泡内气体 在等离子体脉冲作用下表面起泡的长大和开裂行为主要是由于气体膨胀所造成的。 清华大学 基底温度（K） ΔT（K） 650±20 320~700 790±20 200~700 ΔT 基底温度 等离子体脉冲参数 等离子体种类 D 束流强度（m-2s-1） 1*1024 辐照剂量（m-2） 1*1026 粒子能量（eV） ~40 脉冲频率（Hz） 10 辐照次数 10 脉冲次数 500 稳态和脉冲等离子体同时辐照 清华大学 基底温度650K 320K 360K 400K 500K 600K 700K 随着ΔT升高 热效应：当ΔT高于600K后，表面出现变形 粒子效应：表面起泡密度先增多后减少 基底温度650K 表面变形 表面起泡 清华大学 基底温度650K ΔT对于[001]和[110]表面形貌的影响较大，对[111]表面影响较小。 基底温度650K 热流密度较低时促进作用较为明显 热流密度较高时抑制作用较为明显 清华大学 高热流对起泡的影响 起泡内部气体膨胀 近表面滞留减少 促进起泡 抑制起泡 高热流对于起泡的影响 取向对于起泡的影响 D粒子在表面下的气体空洞不容易在[001]和[110]表面形成起泡，当瞬态热负荷作用时会在表面呈现起泡。 基底温度650K 基底温度800K ΔT ΔT 清华大学 结论 1. 在D等离子体辐照后的表面上，再经过脉冲等离子体辐照后，在表面起泡的边缘会出现明显的开裂现象，而没有起泡的表面并没有出现明显的变化。说明表面起泡对于W材料在瞬态高热流条件下的损伤行为有负面影响。 2. 起泡在高热流作用下长大和开裂现象主要原因是高热流造成表面起泡内部的气体膨胀所导致的。 3. 在稳态/脉冲等离子体同时作用的实验中发现，瞬态高热流可以促进表面起泡的形成，主要原因是高热流导致起泡内部的气体压强增大，使得表面变形更加剧烈。当瞬态热流较高时，高温会对表面起泡造成抑制的效果。 贾玉振 清华大学 ~230 MW m-2 [111]表面在瞬态高热负荷作用下的表面变形不明显。 100 110 111 高热流对表面变形的影响 清华大学 稳态和脉冲等离子体顺序辐照 顺序辐照实验： 进行稳态D等离子体辐照； 再进行脉冲等离子体辐照。 同时辐照实验： 同时进行稳态和脉冲等离子体辐照。 激光 脉冲等离子体 * 在聚变装置中，W材料在偏离器区域要承