位错对钨中氢氦行为影响的分子动力学研究课件.ppt

位错对钨中氢氦行为影响的分子动力学研究 报告提纲: 一、研究背景 二、位错模型建立 三、结果与讨论 1、位错应力场的计算 2、位错和氢原子的相互作用 3、位错和氦原子的相互作用 4、位错附近氢氦的扩散行为 四、结论 1.壁材料及氢氦致起泡 一、 研究背景 （1）. 氢和空位的相互作用： 2.氢氦致起泡机制研究 （2）.氢(氦）和晶界的相互作用： （a）氢（氦）在晶界处的溶解 （b）氢（氦）在晶界处的扩散 (3).氢（氦）和表面的相互作用 （a）氢（氦）在晶体表面的吸附 （b）氢（氦）在晶体表面的扩散 （c）氢（氦）从晶体表面向内部的扩散 (4).位错对氢氦泡形成机制的影响 位错是晶体中的一种重要缺陷，对氢氦泡的形核及生长有重要影响，因此有必要进行位错对氢氦泡形成机制影响的研究。 Au扭转晶界上在错配位错交点处He泡形成TEM观测及MC模拟结果 螺位错 He泡 螺位错 螺位错 He泡 二、 1/2111(1-10)刃位错建模 (a) (b) (c) (d) 把完整晶体(10000原子）沿[111]方向删除一定数量的半原子面，然后把上半部分晶体拉伸和下半部分晶体对齐，最后用MD方法进行能量极小化弛豫。 得到1/2111(1-10)刃位错. 在计算过程中所选用的势函数来自： Li X.C., Shu X.L., Liu Y.N., Yu Y., Gao F. and Lu G.H. 2012 J. Nucl. Mater. 426 31 三、结果与讨论 1、刃位错应力场的理论计算： MD 模拟应力分布云图和理论计算结果对比 X方向正应力 y方向正应力 z方向正应力 xy方向切应力 2.H原子和位错的相互作用能 H原子在位错体系中的形成能 含一个H原子位错体系的总能量 不含H原子位错体系的总能量 H分子的能量 H原子和位错的相互作用能： H原子在位错体系中的形成能： H原子在W完整晶体中的形成能 H原子和刃位错的相互作用能MD计算结果： 位错对位于压应力区的氢原子具有排斥作用，对位于张应力区的氢原子具有吸引作用，对位于滑移面上的氢原子也具有吸引做用；从能量上看，吸引作用大于排斥作用 氢原子所处位置 位错周围的氢原子同位错的相互作用能 3.He原子和位错的相互作用能 He原子在位错体系中的形成能 含一个He原子位错体系的总能量 不含He原子位错体系的总能量 He分子的能量 H原子位错的相互作用能： He原子在位错体系中的形成能： He原子在W完整晶体中的形成能 He原子和位错的相互作用能MD计算结果： 氦原子所处位置 位错周围的氦原子同位错的相互作用能 和氢类似，位错对位于压应力区的氦原子具有排斥作用，对位于张应力区的氦原子具有吸引作用，对位于滑移面上的氦原子也具有吸引做用。从能量上看，位错对氦（-2.45eV)的吸引作用大于对氢(-1.60eV)的吸引作用。 3、氢氦在位错附近的扩散行为 10个氢或氦原子在位错张应力区初始随机分布 氢或氦原子的质心位置矢量： 氢或氦原子质心到位错芯的距离； 氢氦的扩散模拟结果： 氢氦质心到位错芯的距离随时间的变化 800K时氦扩散过程中原子位置的变化 四、结论 （1）1/2111(1-10)刃位错吸引其张应力区的氢和氦原子，并排斥其压应力区的氢和氦原子。 （2）1/2111(1-10)刃位错对氦原子的吸引作用大于其对氢原子的吸引作用。 （3）钨中氦原子向位错芯扩散的速度大于氢原子 向位错芯的扩散速度；然而相近的氦原子容易积聚成团，而氦团簇扩散势垒升高，很难扩散。 欢迎大家去天津河北工业大学 （北洋大学旧址）桃花堤赏花！ * * * * * * 形成焓：CUB IDEC ICO MDEC TOC，与各个纳米粒子(111)面原子占总的原子的比例成反比 * * * * * * * 形成焓：CUB IDEC ICO MDEC TOC，与各个纳米粒子(111)面原子占总的原子的比例成反比 *