电工与电子技术基础配套教学课件徐秀平8 常用半导体器件.pptVIP

电子技术 8 常用半导体器件 纯净的半导体导电能力和绝缘能力都很差，但其具有如下的特性： 本征半导体具有共价健结构 自由电子运动 复合运动 2.内电场的建立 3.内电场对载流子运动的作用 4.PN结的形成 2.外加反向电压（反偏） ?由于反向电流是由少子形成的,反向电流很小，一般可以忽略不计 ，PN结呈高阻截止状态 8.3 半导体二极管 1.点接触型：结面积、结电容小；适用高频小电流场合。用于检波、开关电路 8.3.2 伏安特性 8.3.2 伏安特性 8.3.2 伏安特性 8.3.2 伏安特性 8.3.2 伏安特性 8.3.3 主要参数 3.3.4 基本应用 2.限幅电路 8.4 特殊二极管 解：稳压管最大稳定电流为 稳定过程如下: 为使三极管具有电流放大作用，其外加电压的要求： 三、三极管中的电流分配关系 2. 输出特性 （1） 截止区 （2） 放大区 （3） 饱和区 （2）集－基极反向饱和电流ICBO 例8-5 在检修电子设备时，若三极管上标号不清，可利用测量三极管各电极电位的方法判断三极管的电极、类型及材料。现测得两个晶体三极管各电极对地的电位分别为：（1）V1＝－6V，V2＝－2.2V，V3＝－2.0V；（2） V4＝+9V，V5＝+3.7V，V6＝+3V。试判断出各管的电极、三极管的类型和材料。 8.6.1 增强型场效应管 这个电场排斥栅极附近P型衬底中的空穴，留下不能移动的负离子，形成耗尽层。同时吸引P型衬底中的电子到上面去，形成反型层 (3)当uGS＞uGS(th)时 3.特性曲线 当uGS uGS(th)时，管子截止；当时uGS＞uGS(th) ，管子导通。该曲线说明了栅源电压对漏极电流的控制作用 输出特性分为四个区：可变电阻区①、恒流区②、击穿区③、截止区④ 。MOS管作为放大元件时，工作在恒流区；当MOS管作为开关元件时，工作在截止区和可变电阻区。 8.6.2 耗尽型场效应管 其特性曲线： 8.6.3 P沟道MOS管简介 下图为增强型PMOS管的转移特性曲线和输出特性曲线 PMOS管的输出特性和转移特性与相应的NMOS对称于原点。使用时， uGS 、 uDS的极性与NMOS相反，增强型开启电压uGS（th）0,耗尽型夹断电压uGS（off）0。对于不同的场效应管，使用时必须注意所加电压的极性。 附录一 半导体器件型号命名方（国标GB249-74) a. 根据UBE和UCE的数值： *若UBE≤0.5V（硅管），则三极管处于截止状态 *若UBE0.5V（硅管），则三极管处于放大或饱和状态，此时再比较UCE、UBE的大小。若UCE-UBE0.7V，则三极管处于放大状态；否则为截止状态。 b. 通过电流大小 如图电路，临界饱和时的集电极电流为 3. 三极管工作状态的判定 若实际电路中的基极电流 说明三极管工作在饱和状态 ，此时:NPN管UCE＝0.3V（硅管）， UCE＝0.1V（锗管） 若实际电路中的基极电流 说明三极管工作在放大状态状态 ，此时: UCE＝UCC－ICRC 当UBE≤0V时IB＝0,三极管处于截止状态 临界饱和时的基极电流为 放大 截止 饱和 例：测量三极管三个电极对地电位如下图所示，试判断三极管的工作状态。 解：由UBE＝VB－VE＝1.7-1=0.7V 可知三极管工作在饱和或者导通状态，且为硅管 由UCE＝VC－VE＝1.2-1=0.2V 可知，此管工作在饱和区，NPN管。 例：某三极管3个电极电位分别为VE＝1V，VB＝1.7V，VC＝1.2V，则问该三极管工作于哪一个区？是什么材料的管子？哪个类型的？ 8.5.4 主要参数 （1）电流放大系数 直流（静态）电流放大系数 1. 主要性能参数 交流（动态）电流放大系数为： 在放大区内有： 故在手册和使用时，一般用β代替 小功率硅管的通常在10－200之间，一般采用30～80的三极管。 其数值可从输出特性曲线上直接求出 对A点： ICBO的数值很小，受温度的影响大。 室温下，小功率硅管的ICBO小于1μA，锗管约为几个微安至几十微安。ICEO硅管在几个uA以下。由于是集电极电流的一部分，会影响三极管的放大性能，故这两个参数越小越好。 （3）集-射极穿透电流ICEO。 它是ICBO的（1＋β）倍，受温度的影响更为严重。 （1） 集电极最大允许电流ICM 当集电极电流IC超过一定值后，β将明显下降。一般规定，当β下降到正常值的 2/3 时的集电极电流为集电极最大允许电流ICM 。 （2） 集－射极反向击穿电压U(BR)CEO U(BR)CEO是指基极开路时，加在集电极与发射极之间的最