Q_321001LPB 02-2019氮化镓LED芯片企业标准.pdf

L53 Q 扬州中科半导体照明有限公司企业标准 Q/321001LPB 02—2019 代替 Q/321001LPB 02—2015 氮化镓LED 芯片 2019-06-18 发布 2019-06-18 实施 扬州中科半导体照明有限公司 发 布 Q/321001LPB 02—2019 前 言 本标准是对Q/321001LPB 02—2015《氮化镓LED芯片》的修订，本次主要修订如下： ——芯片颗粒尺寸“长×宽”改为“长×宽代码”； ——修改了发光强度、发光功率范围（详见表 2）、正向电压范围（详见表 3）、发光强度点测电 流（详见表 5）、发光功率点测电流（详见表 6）； ——增加外观质量“叉指脱落”、“表面残金”等项目（详见 4.3）； ——增加老化性能“常温老化”，修改老化点测电流（详见 5.4.2）； ——删除检验规则的“老化性能”； ——修改了光电参数的判定规则(详见 6.3)。 本标准的编写按GB/T 1.1—2009《标准化工作导则 第1部分：标准的结构和编写》规定。 本标准由扬州中科半导体照明有限公司负责起草。 本标准起草人：殷海燕。 本标准于2012年4月首次发布；于2015年4月第一次修订；于2019年6月第二次修订。 I Q/321001LPB 02—2019 氮化镓LED 芯片 1 范围 本标准规定了氮化镓LED芯片的分类与命名、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮 存。 本标准适用于以氮化镓LED芯片，经过化学清洗、蒸镀、光刻、研磨、切割、裂片主要加工制成的 氮化镓LED芯片，以下简称芯片。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 191 包装储运图示标志 GB/T 2828.1—2012 计数抽样检验程序 第1部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 SJ/T 11394—2009 半导体发光二极管测试方法 SJ/T 11399—2009 半导体发光二极管芯片测试方法 3 分类与命名 3.1 分类 芯片分为方片和圆片两种。 3.2 型号命名 芯片型号命名方式如下： □ □ □ □ □ □ □ | | | | | | | | | | | | | └—————— 点测电流(详见表5) | | | | | | | | | | | └———————— 正向电压范围(详见表3) | | | | | | | | | └——————————亮度或功率范围(详见表2) | | | | | | | └——————————— 波段间隔范围(详见表1)