材料成型金属学实际晶体中的位错.pptVIP

Fe-Mn-Al-C钢变形过程中的组织演变（TEM） 5 3 1 4 2 A B C 面 面 2 1 4 5 3 A C B A 观察位置 剖面 1.11 实际晶体中的位错 由简单立方，深化到面心立方、体心立方和密排六方晶体中的位错。  基本概念1.位错的类型 简单立方：b≡点阵矢量—只有全位错 实际晶体：b = 点阵矢量 b＝点阵矢量整数倍— 全位错 其中b＝点阵矢量——单位位错 b≠点阵矢量整数倍——不全位错 其中b 点阵矢量——部分位错 2.堆垛层错 stacking fault 晶体中原子堆垛次序不同于正常次序而引起的一种面缺陷；是由一个不全位错扫过滑移面时所造成的平面区域不完整性，简称层错。 　 正常堆垛顺序为ABCABC…，以Frank记号表之为△△△△ …，若出现反常堆垛，则以▽表示。 堆垛层错 （1）形成 密排堆垛次序有误 层错 面缺陷 形成 fcc晶体的层错类型： 抽出型： 插入型： （2）特点 畸变很小，但仍有畸变能。 层错 stacking fault 晶体中原子间的正常堆垛顺序发生错误称为堆垛层错。 层错使系统的能量增加。单位面积层错所增加的能量称为层错能。 材料的层错能越低，层错数量越多。 最紧密堆积方式：1，3，5 或2，4，6 位 相对第一、二层而言，第三层有两种最紧密的堆积方式 3.面心立方晶体中的位错原子堆垛 1 3 5 2 4 6 1 2 3 4 5 6 A B ， 六方紧密堆积前视图 A B A B A 第一种：是将球对准第一层的球 每两层一个周期：ABAB…密排六方结构 1 2 3 4 5 6 1 2 3 4 5 6 1 2 3 4 5 6 第三层对准第一层的 2、4、6 位，即 C 层 1 2 3 4 5 6 1 2 3 4 5 6 1 2 3 4 5 6 1 2 3 4 5 6 立方堆积示意图 A B C A A B C 全位错和不全位错 以面心立方晶体为例： ABCABCABC堆垛 A C C层相对于A层沿 晶向滑移 ，晶体结构不变，但在已滑移区和未滑移区之间形成全位错 。 肖克莱半位错 B B C 面 A C B A 面 110/2 B B C 面 A C B A 面 B A C A B 层错 112/6 弗兰克半位错 W.B.Shockley(1910~1989)美国物理学家贝尔电话实验室1956年 诺贝尔物理学奖 F.C Frank (1911~1998) 英国物理学家 H. H.Wills物理研究所所长 几何条件：反应前后柏氏矢量和相等（方向、大小）； 能量条件：反应后能量降低。 判断方法： 几何条件判断方法：求反应前后各个位错柏氏矢量的矢量和。 能量条件判断方法：求反应前后各位错 |b|2 的和。 — 位错的合并与分解 1.12 扩展位错和面角位错 1.位错反应 位错反应条件： （1）几何条件： 反应前的柏氏矢量之和等于 反应后的柏氏矢量之和。 （2）能量条件： 反应后的位错总能量小于 反应前的位错总能量。 ∑ bi i=1 n = ∑ bj j=1 n 反应前 反应后 ∑ bi i=1 n 2 ＞ ∑ bj2 j=1 n 反应前 反应后 2.扩展位错：一个位错分解成两个半位错和它们中间夹的层错带构成的位错。 面心立方晶体的滑移 如： 位错的束集 当螺型位错分解为扩展位错后，其中的层错区只能在原滑移面上随两个不全位错移动，不能转移到新的滑移面上。 如果这样的扩展位错在滑动过程中受阻，只有重新合并为螺型全位错才能进行交滑移。 受阻的局部线段进行合并-束集 扩展位错的交滑移 3. 面角位错 2) 特征： 固定； 纯刃型； 柏氏矢量不在fcc的滑移面{111}上； 形成于两个{111}面之间的面角上； 位错组合。 面角位错 Lomer-Cottrel位错 1) 形成过程： 两扩展位错在各自的滑移面上相向滑移，当每个扩展位错中的一个不完全位错达到滑移面的交线时，位错反应生产新的先导位错 （不完全位错） 4. 扩展位错的观察 TiAl金属间化合物 堆垛层错 stacking fault