材料成型金属学位错的运动.pptVIP

位错攀移 dislocation climb Vacancy capture by dislocation line, dislocation climbs up Nearby atom moves into dislocation, leaving a vacancy nearby SLIP (OR GLIDE) VS. CLIMB 滑移与攀移 Slip is relatively easy, but climb is slower since vacancies must diffuse to/from the dislocation. 难易程度？ Slip can be blocked by large precipitates. Blocking dislocations increases strength but lowers ductility. Climb allows dislocations to move around obstacles. F e 3 C slip F e c l i m b slip F e 3 C F e slip ▲ Cross-Slip: 交滑移 b b b Primary slip plane Cross slip plane edge = Dislocation generator (similar to Frank-Read source) 交滑移 cross slip 作用原滑移面上运动受阻—交滑移—新滑移面—滑移继续交滑移只能是螺位错才能发生 说明：交滑移不是塑性变形的主要机制—可避开障碍物—便于滑移 结论：交滑移能力——影响滑移进行——进一步影响塑性变形 攀移与交滑移比较 攀移：只能刃位错 非守恒运动 避开障碍物的方式 交滑移：只能螺位错 守恒运动 * 正刃型位错 负刃型位错 Deformed microstructure of Ti3Al-Nb alloy (TEM ) 位错环 dislocation loop 在金属材料中，退火状态下，接近平衡状态所得到的材料，这时位错的密度较低，约在106-8的数量级； 经过较大的冷塑性变形，位错的密度可达1011-12的数量级。 位错密度 位错的应力场：位错中心原子错排严重，且位错周围的原子也相应偏离平衡位置 形成应力场。 stress field 位错的应变能：位错周围点阵畸变引起弹性应力场，导致能量升高。 strain energy 位错的线张力 line tension 其作用是使位错变直—降低位错能量 ? 相当于物质弹性—称之为位错的弹性性质 ? 类似于液体为降低表面能产生的表面张力。 位错应变能与位错线长度成正比。为降低能量，位错线具有尽量缩短其长度的倾向，从而使位错产生线张力。 定义：每增加单位长度的位错线所做的功或增加的位错能 －位错的线张力。 如果受到外力或内力的作用，晶体中的位错将呈弯曲弧形。 为达到新的平衡状态，位错弯曲所受的作用力与其自身的 线张力之间必须达到平衡。 -位错的向心恢复力 保持位错线弯曲所需的切应力与曲率半径成反比,曲率半径越小, 所需的切应力越大,这一关系式对于位错的运动及增殖有着重要的意义.。???????????????????? 1.5 位错的运动与 晶体的塑性变形 位错滑移机制 　 滑移是晶体内部位错在切应力作用下运动的结果。滑移并非是晶体两部分沿滑移面作整体的相对滑动, 而是通过位错的运动来实现的。在切应力作用下,一个多余半原子面从晶体一侧到另一侧运动, 即位错自左向右移动时, 晶体产生滑移。? 通过位错的移动实现滑移时： 1 只有位错线附近的少数原子移动； 2 原子移动的距离小于一个原子间距； 所以通过位错实现滑移时，需要的力较小。 Movement of an edge dislocation across the crystal lattice under a shear stress. Dislocations help explain why the actual strength of metals in much lower than that predic