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1.位错理论基础 1.1 晶体缺陷的类型 点缺陷 线缺陷 面缺陷 1.2~1.3 位错的基本概念刃型位错 螺型位错 柏氏矢量的确定、位错密度 1.4 位错的应力场及应变能 刃型位错的应力场 螺型位错周围只有一个切应变: 螺型位错应力场 位错应变能 位错的线张力 定义:每增加单位长度的位错线所做的功或 增加的位错能。 派—纳力(Peirls- Nabarro),此阻力来源于周期 排列的晶体点阵。 式中,b为柏氏矢量的模,G:切变模量,v:泊松比 W为位错宽度,W=a/1-v,a为滑移面间距 1.5 位错的运动及晶体的塑性变形 1)通过位错滑动而使晶体滑移,τp 较小 , 设a≈b,v约为0.3, 则τp为(10-3~10-4)G,仅为理想晶体的1/100~1/1000。 2)τp随a值的增大和b值的减小而下降。在晶体中,原子最密排 面其面间距a为最大,原子最密排方向其b值为最 小,可解释 晶体滑移为什么多是沿着晶体中原子密度最大的面和原子密 排方向进行。 3)τp随位错宽度减小而增大。 强化金属途径:一是建 立无位错状态,二是引入大量位错或其它障碍物,使其难以运 动。 位错的攀移及驱动力 化学力:如晶体中有过剩的点缺陷,如空位,单位时间内跳到位错上的空位(原子)数就要超过离开位错的空位(原子)数,产生驱动力; 弹性力:多余半原子面缩小、膨胀过程中,如果有垂直于多余半原子面的弹性应力分量?,它就要作功。 位错攀移的驱动力为两者之和。 ▲ 交滑移 b b b 主滑移面 交滑移面 刃型 1.6 位错在应力场中的受力 外力使晶体变形做的功=位错在F力作用下移动ds距离所作的功。 1.7 位错间的相互作用 (1)写出位错间作用力的表达式(不要求计算) (2)分析位错的受力 同符号刃型位错: ?/2 稳定平衡位置; ?/4不稳定平衡位置。 1.8 位错与溶质的交互作用 溶剂原子、溶质原子体积不同,晶体中的溶质原子会使周围晶体发生弹性畸变,产生应力场。 位错与溶质原子的弹性相互作用-应力场发生作用。 科氏气团 溶质原子~刃型位错 1.9 位错的交割 割阶与扭折 割阶的形成增加了位错线长度,要消耗一定的能量。 因此交割对位错运动是一种阻碍。增加变形困难, 产生应变硬化。 刃型位错的交割/割阶的类型 1.10 位错的增殖与塞积 位错的增殖机制 开动(F-R)位错源的临界切应力 位错的塞积 当位错在滑移过程中遇到沉淀相、晶界等障碍物时,可能被阻挡停止运动,并使由同一位错源增殖的后续位错发生塞积。塞积使障碍处产生了应力集中。 应变硬化的机制之一 位错塞积群中位错的分布与数量 堆垛层错 (1)形成 密排堆垛次序有误 层错 面缺陷 形成 fcc晶体的层错类型: 抽出型: 插入型: (2)类型 1.11 实际晶体中的位错 肖克莱(Shockley)不全位错 弗兰克(Frank)不全位错 1.12 扩展位错 位错反应 位错反应:分解或合成 条件: 1)几何条件:反应前各位错柏氏矢量之和应等于反应后各位错柏氏矢量之和。 即: Σb前=Σb后 2)能量条件:反应过程是能量降低的过程。 E∝b2 Σb2前≥Σb2后 扩展位错:一个位错分解成两个半位错和它们中间夹的层错带构成的位错。 面心立方晶体的滑移 如: 面角位错 影响加工硬化/断裂
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