芯片超声键合机理、规律与技术研究汇报专题讲座.ppt

汇报提纲 一、项目背景与总体思路 二、主要创新成果 三、成果水平与知识产权 四、主要完成人及其贡献 一、项目背景与总体思路（1） 封装：将芯片的信息节点与器件基板节点连接，实现I/O转换，完成信息流从微观到宏观的转换。 超声键合 光刻、掺杂等工序 封装 器件 IC制造是高新技术最核心的产业，2007年我国IC产业产值为5000亿元（即408亿块) ，2010年将达8000亿元（即800亿块)，其中70～80%为封装产业。 是每年几百亿块芯片转变为器件的关键环节 一、项目背景与总体思路（2） 市场与技术的激烈竞争，使封装技术与产业面临着摩尔定理的挑战：每18个月更新一次芯片制造技术。 特征线宽 （nm） 封装节点 （μm） 焊接速度 （点/秒） 节点键合强度 （MPa） 125～90 Φ60 20 60 65～45 Φ35 30～40 90 挑战与技术瓶颈： 用缩短1半的时间，在减小1半的节点面积上，增加1倍半的键合强度。 ——成为IC封装产业发展的瓶颈 一、项目背景与总体思路（3） 总体思路 揭示在ms、纳米时空条件下键合强度如何产生：找到时间减半、强度增半的原理。——需要观测现象揭示真实规律 创造什么条件可以使发现的规律演变为产品升级的新技术原理。——需要创造新的核心技术 创造什么系统可以集成关键技术，使复杂封装过程在瞬间精确实现。——集成创新高性能封装装备与工艺软件 获得了国家重大项目支持 国家973项目，编号: 2003CB716202 国家自然科学基金重大项目，编号: 国家自然科学基金面上项目，4项，编号:50575230在毫米级的工具空间，通过微米级的操纵，在纳米尺度上产生强度。 历时6年，达到预期目标 二、主要创新成果 创新1：建立快速原子扩散超声键合理论 1）三个重要发现 ① 超声作用下键合界面原子快速互扩散——键合最根本行为 首次在纳米/毫秒尺度上揭示键合界面的原子行为和规律 时间30ms，界面互扩散深度约为200nm ② 原子快速扩散时，键合界面存在高密度位错组织 没有超声作用 超声作用后的位错 原子扩散是在位错状态下进行 超声能－位错－原子扩散 ③ 发现了键合过程界面出现‘速度分离’现象 揭示了界面强度形成需要的时间和特征现象 “速度分离”后 “速度分离”前 创新1 速度分离 工具 芯片 在7-8ms时段出现‘速度分离’，突变点，说明此时已产生键合强度。 现工业操作时间为30ms以上 2）建立快速原子扩散超声键合理论-要点： 键合的本质：界面原子扩散形成合金固溶组织，强度大于基体组织——键合区形成。 纯Ag晶格常数: 2.4066? 纯Au晶格常数: 2.358? Au-Ag键合界面 Au=2.3915? Ag=2.047? 键合的条件：原子扩散能为77.5kcal/mol，超声能使材料形成高密位错，原子处于高能位不平衡态，产生快速扩散。 创新1 键合的过程：10ms时间内键合完成；速度分离点表征键合强度达到门槛值； ‘速度分离’后的超声能量大量耗散于其他的损伤。 J. Li, L. Han, J. Zhong, Applied Physics Letters, 90, 2007: 242902. (影响因子4.127) Junhui Li, Fuliang Wang, Lei Han, Jue Zhong, Journal of Physics D: Applied Physics, 2008, 41:135303.(影响因子2.200) 新理论解决了回应挑战的技术路线:强化与精确调控在‘速度分离’之前的原子扩散 裂纹、根断 、分离 实施效果：10ms内，实现了强度提高1.5倍，面积减小1/3。 创新2：创立高效高品质键合新工艺 专利号：200610031671.X 1）强化有效过程的“变参数加载新工艺” 键合强度 提高50%以上 速度分离 阶梯式超声功率 Lei Han, Fuliang Wang, Wenhu Xu, Jue Zhong, Microelectronics Reliability, 2006, 46:610–615. (影响因子0.897) Lei Han, Rongzhi Gao, Jue Zhong, Sensors and Actuators A 137 (2007) 41–50. (影响因子1.457) 强化10ms内过程，减小后过程载荷 创新2 2）控制界面硬脆、强度均匀化的“超声能传递路径优化新工艺” Au/Al界面出现脆性、强度下降的金属间化合物（AuAl2） 500nm 200nm 两界面扩散不均匀，在200－500n