先进化合物半导体材料.pptVIP

GaAs的本征载流子浓度ni与温度的关系 * 施主杂质 施主电离能/eV 受主杂质 受主电离能/ eV Si Se Ge S Sn Te O 0.0058 0.0059; 0.89 0.005 0.006 0.006 0.003 0.4; 0.75 C Zn Mg Cd Si Ge Sn Cu Fe Cr Pb Ag Au 0.026 0.031 0.028 0.035 0.035 0.04; 0.07 0.17 0.14; 0.19; 0.23; 0.44 0.37; 0.52 0.79 0.12 0.11 0.09 GaAs中杂质的电离能 GaAs的折射率与温度和光子能量（0.3-1.4 eV）的关系 * GaAs吸收系数与光子能量的关系 InP * Δ直接带隙，InP的禁带宽度约1.35 eV，基于InP的发光器件、激光器及光探测器件，响应波长为1.3-1.6μm，是石英光纤通信中传输损耗最小的波段。 ΔInP基太阳能电池不仅有高的转换效率，而且其抗辐射性能还优于GaAS电池；InP表面复合速度小，电池寿命更长。 ΔInP的热导率比GaAs高，在同类器件中有较好的热性能。 * Δ掺入适当的深施主（Fe），可制得半绝缘单晶。高纯材料在适当条件下退火，也可得到半绝缘性能。 ΔInP是制备高速器件和电路、光电集成电路的重要衬底材料。InP单晶作为衬底材料，其制备工艺