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场效应管基础知识 一、场效应管的分类 按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式來划分，场效 应管乂可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增 强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟 耗尽型和增强型；P沟耗尽世和增强世四人类。见下图。 N沟结构 P沟结构 漏极 漏极 结场效应 D JD 晶体管 删极\h 丿 I S 卞 源极 源极 1脚耗尽型 P沟耗尽型 牛衬底 台曲-衬底 MOS HS 场效应 晶体管 増强型 P沟増强型 J 手衬底 禺甘衬底 S 二、场效应三极管的型号命名方法 第二种命名方法是CSxx#, CS代衣场效应管，XX以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型 号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。 三、场效应管的参数 仁I DSS 一饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管屮，栅极电压U GS=O时的漏 源电流。 2、 UP —夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管屮，使漏源间刚截止时的栅极电压。 3、 UT —开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。 4、 gM —跨导。是表示栅源电压U GS —对漏极电流I D的控制能力，即漏极电流I D变化 显与栅源电压UGS变化显的比值。gM是衡显场效应管放大能力的重要参数。 5、 BUDS —漏源击穿电压。是指栅源电压UGS —定时，场效应管正常工作所能承受的最人漏 源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDSo 6、 PDSM 一最大耗散功率。也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏 源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。 7、 IDSM -最大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的 最人电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM 几种常用的场效应三极管的主要参数 参数 PqM Aks 型号 mW mA V V V mVV MHz 3DJ2D 100 0.35 20 20 -4 52 300 3DJ7E 100 1.2 20 20 -4 3 90 3DJ15H 100 6—11 2D 20 -55 3DO2E 100 0.35-1.2 12 25 1000 CS11C 100 03?】 M MM MM MM MM MM MM MAAM MAA MM MAA MM MM ?25 M MM MM MM MM AAM AM -4 2 AM MM MM AAM MM A* 四、场效应管的作用 2、 场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。 3、 场效应管可以用作可变电阻。 4、 场效应管可以方便地用作恒流源。 5、场效应管可以用作电子开关。 五、场效应管的测试 1、 结型场效应管的管脚识别： 场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用 表置于Rx1k档，用两农笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻 相等，均为数KQ时，则这两个管脚为漏极D和源极S （可互换），余下的一个管脚叩为栅极G.对 于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。 2、 判定栅极 用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很小, 说明均是正向电阻，该管属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。 制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所 以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。 注惫不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种管子的输入电阻极高，栅源间的极间电 容又很小，测量时只要有少量的电荷，就可在极间电容上形成很高的电压，容易将管子损坏。 3、 估测场效应管的放大能力 将万用表拨到Rx100档，红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,相当于给场效应管加上1.5V的屯 源电压。这时表针指示出的是D-S极间电阻值。然后用手指捏栅极G,将人体的感应电压作为输入 信号加到栅极上。由于管子的放大作用，UDS和ID都将发生变化，也相当于D-S极间电阻发生变化, 可观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极时表针摆动很小，说明管子的放大能力较弱；若表针 不动，说明管子已经损坏。 由于人体感应的50Hz交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同，因 此用手捏栅极时表针可能向右摆动，也可能向左摆动。少数的管子RDS减小，使表针向右摆动，多 数管子的RDS增大，表针向左摆动。无论表针的摆动方向如何，只要能有明显地摆动，就说明管子 具有放人能力。 本方法也