共溅射氧化法制备掺钼VO2及其相变特性.pdf

第44 卷 第6 期 稀有金属材料与工程 Vol.44, No.6 2015 年 6 月 RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING June 2015 共溅射氧化法制备掺钼VO2 及其相变特性 朱慧群，陈 飞，王启汶，杜尚昆，李竻康 (五邑大学, 广东 江门 529020) 摘 要：采用共溅射氧化法，在普通玻璃衬底上室温直流溅射沉积钒钼金属薄膜，再在大气环境下经热氧化处理获得 掺钼VO2 薄膜。通过XRD 、SEM、热致相变电学特性等分析，研究制备工艺及掺杂改性对掺钼VO2 薄膜的微结构、形 貌、热滞回线和相变温度的影响。实验与分析结果表明，与相同厚度的纯 VO2 薄膜相比，钼掺杂显著改变了 VO2 薄膜 的表面形貌特征，掺钼VO 薄膜呈多晶态且沿VO (002)择优取向生长，结晶性和取向性明显提高，薄膜的相变温度降 2 2 低至38 ℃，热滞回线宽度收窄约至8 ℃。低温共溅射氧化法制备的掺钼VO2 薄膜的热阻效应明显，薄膜的金属-半导 体相变特性良好。 关键词：VO2 薄膜；共溅射；钼掺杂；相变 中图法分类号：TB43; TN213 文献标识码：A 文章编号：1002- 185X(2015)06- 1513-04 二氧化钒(VO ) 薄膜在68 ℃附近具有金属-半导 钼VO 与纯VO 热致相变薄膜的结构与形貌，研究低温 2 2 2 [1] 体可逆热致相变特性 ，相变时由低温单斜晶结构的 共溅射氧化法对掺钼VO2 薄膜的热致相变特性的影 半导体态转变为高温金红石四方晶结构的金属态，薄 响。 [2-4] 膜的红外光透过率和电阻率等发生突变 ，速度达到 [5, 6] 1 实 验 皮秒量级 ，是未来极具潜力和实用价值的智能窗材 [7, 8] 料 。由于钒氧化物非常活泼，价态多，物相复杂， 本实验采用FJL450E 型磁控溅射与离子束复合溅 VO 薄膜生长的条件范围很窄，合成过程中的氧含量、 射设备，分别使用高纯金属钒靶和掺钼 2.75% 的高纯 2 温度等参数变化会造成薄膜的结构和性质的很大不 钒钼金属复合靶，在普通玻璃衬底上室温直流溅射沉 同。目前，常规VO 薄膜68 ℃的相变温度仍远高于室 积钒和钒钼金属薄膜，再经热氧化合成纯VO 与掺钼 2 2 温，较大的相变滞后现象影响了薄膜相变的可逆性和 VO2 相变薄膜。具体的制备过程如下：将衬底依次放 可靠性，这些问题限制了VO 薄膜在光电领域特别是