低抖动纳秒级前沿的氢闸流管高压脉冲源-强激光与粒子束.pdf

第16 卷 第2 期 强 激 光 与 粒 子 束 Vol. 16 ，No. 2 2004 年2 月 HIGH POWER LASER AND PARTICLE BEAMS Feb. ，2004 文章编号：1001-4322（2004 ）02-0265-04 低抖动纳秒级前沿的氢闸流管高压脉冲源* 郝晓敏， 唐 丹， 陈敏德， 王 欣 （中国工程物理研究院 电子工程研究所，四川 绵阳621900 ） 摘 要： 试验用功率MOSFET 驱动氢闸流管，做成幅度可达15kV 、前沿小于10ns、抖动低于1ns 的高压 纳秒级前沿脉冲源。简要介绍了脉冲源的电路结构，着重从氢闸流管储氢器加热电压、阴极加热电压、触发脉 冲幅度、前沿和延迟几方面测量分析了其对脉冲源输出特性的影响。 关键词： 氢闸流管； 高压； 纳秒级前沿； 低抖动 中图分类号：TN789 . 1 文献标识码：A 高压纳秒脉冲源广泛应用于量子辐射物理、核物理、加速器技术、X 射线探伤以及快速照相技术等方面，特 别是在实验物理方面，例如产生大功率脉冲激光，建造强流带电粒子束和快速加热等离子等。 利用氢闸流管建造高压快脉冲源系统，国内外已有大量报道［1 ～ 6 ］。如LLNL 用氢闸流管做成的两套普克 尔盒驱动源，技术指标分别为：幅度5kV ，脉宽5 ～ 50ns ，前沿小于3. 5ns ，抖动小于200ps ；幅度10kV ，脉宽10 ～ 50ns ，前沿9ns ，抖动小于200ps［2 ］。与其他开关相比，氢闸流管具有功率大、开关速度快、寿命长、重复率高等 优点，从而广泛应用于各种脉冲源系统中。 本实验中用陶瓷氢闸流管作为主开关，充分挖掘其性能潜力，做成了抖动低于1ns ，幅度可达十几kV ，前沿 小于10ns 的高压纳秒级前沿脉冲源。 1 高压纳秒级前沿脉冲源 图1 所示为氢闸流管脉冲源的结构示意图。试验采用双脉冲触发，其中栅极G2 预加负电压偏置，以避免 氢闸流管由G1 触发和加快氢闸流管的恢复。高压电源 VH 经过限流电阻R 对氢闸流管阳极电容C 充电。驱 动电路产生的G ，G 触发脉冲，由脉冲变压器TX1，TX2 倒相并调整脉冲幅度和脉宽后，经偏置电阻R ，R 加 1 2 1 2 到氢闸流管的栅极。氢闸流管触发导通时，电容C 放电，在负载Rl 上形成负脉冲输出。 Fig. 1 Diagram of the high voltage ，nanosecond risetime pulser 图1 高压纳秒级前沿脉冲源结构框图 电路中氢闸流管栅极用新型功率MOSFET 驱动。目前功率MOSFET 单管幅度可达到1. 5kV ，采用雪崩管 驱动能大大减小开关时间到几ns［6 ］。G ，G 触发脉冲之间延迟（一般约300ns ）的抖动会直接影响整个脉冲 1 2 ［2 ］ 源的抖动，因而通常用电缆延迟法。对于延迟300 ns 需要约60 m 的电缆，大大增加了电路的体积和重量 。本 * 收稿日期：2003-06-04 ； 修订日期：2003-09-11 基金项目：国防科技基础研究基金资助课题 作者简介：郝晓敏（1979—），女，硕士生，主要研究方向