微波功率放大器课件.pptVIP

微波功率放大器;3. 功率附加效率(Power added efficiency);输入功率较小时，增益为常数，称为小信号线性增益G0； 输入功率继续增大，功放输出功率出现非线性，输出功率与输入功率的比值即增益减小； 当功放增益比小信号线性增益G0下降1dB时，称为“1dB压缩点增益”G1dB，对应的输出、输入功率称为“1dB压缩点输出功率”P1dB及“1dB压缩点输入功率”Pin 1dB 。;5. 三阶交调(Intermodulation)系数;输入信号：;小信号功率增益：; 1dB压缩点三阶交调系数;6. 三阶交调截止点; 任意输入功率时的三阶交调系数;这??规律虽不严格但非常准确。;7. 调幅、调相转换系数; AM/PM转换系数 输入单频等幅信号时，输出信号相位变化(单位：弧度)与输入信号功率变化(单位： dB)的比值。;§1.8.2 功率放大器设计原则; S参数随Pin变化规律：;3. 动态阻抗法 没有模型也没有S参数的晶体管，可先测得最佳Zin、Zout，再设计微带匹配电路。;FET 等效电路; 第二章 微波混频器;§ 2.1 微波混频器件; 微波二极管;§2.2 肖特基势垒二极管 (Schottky Barrier Diode);;混频二极管封装和等效电路;封装形式比较;混频二极管电特性;2 . C-V 特性;3. 串联电阻RS 取决于半导体材料和工艺 N型半导体电导率：? ? eND?n ND--施主杂质浓度 ?n--N型半导体电子迁移率 P型半导体电导率：? ? eNA?p NA--受主杂质浓度 ?p--P型半导体电子迁移率 N型比P型迁移率高 GaAs比Si高(6倍)，InP更好。 常用N型GaAs;4. 微分电导;6. 混频器变频损耗 定义：;7. 中频阻抗 当二极管加上额定本振功率(通常为1mW)时，对指定中频所呈现的阻抗。典型值在200~600 ?。;§2.3 非线性电阻混频原理;由于VLVS，工作点随VL周期变化;或;二极管电流中的交流小信号成分：;中频： ?if = ?S- ?L (?S ?L) ?if = ?L- ?S (?L ?S) 信号的镜频(?S ?L) ： ?i = 2?L- ?S (image frequency) = ?L- ?if = ?S- 2?if ;如果信号源端设计成电抗终端，如果相位合适，使镜频能量反射回二极管，镜频和本振再混频，产生中频(?L- ?i = ?if)，减小净变频损耗，叫镜频能量回收。 A. 相位不合适，损耗在RS上； B. 高次谐波能量很小，回收效率太低，意义不大。 本振二次谐波以上各分量很小，且其频率往往在信号通带之外，简化分析时可以忽略不计。;§2.4 微波混频器电路;中频、滤波 ----- 取出fif，滤除fS、fL 直流与中频通路：保证二极管正常工作。 * 直流工作点V高，节省本振功率，变频损耗大，Zin降 低。 匹配 ----- fS、fL * 由于信号电平较小，首先应保证信号路匹配，定向耦合器和阻抗变换器设计时中心频率按信号频率考虑。;38;§2.4.2 平衡混频器(书§2.4.3);40;90移相变阻抗电桥 混频管阻抗经移相成纯阻RD 变阻抗电桥 3，4 口阻抗为RD 微波接地用扇形线;常用电桥;1. 混频管上的相位关系;信号;2. 混频器噪声;本振携带的镜频噪声 ---- 同样情况;3. 混频器的组合频率 (自学书p.74);二、1800移相型混频器 本振反相型（1800） 信号同相（00） 特点： 尺寸大 本振偶次谐波组合频率(n?L??S，n=2，4，6，?)无输出 结构复杂;规定二极管上电压、电流以二极管导通方向为正方向;信号反相型(避免线路交叉) 信号反相、本振同相 偶次谐波抵消 尺寸小