微电子技术的发展现状和趋势张志勇课件.ppt

P6 (Pentium Pro----高能奔腾) 1995年11月面市 150 to 200 MHz时钟 550万个晶体管 0.35 微米工艺 4 层金属互联 387 管脚 Intel Pentium 840EE 双核处理器 制造工艺：90nm 晶体管数：2.3亿个 芯片面积：206mm2 互联技术：7层铜互连 最高功耗：130W 2007年1月英特尔推出45nm正式量产工艺，45nm技术是全新的技术，可以让摩尔定律至少再服役10年。 四核CPU 制造工艺：45nm 晶体管数：8.2亿个 管 脚 数：775个 核心技术：铪金属高-K与金属栅组合新工艺 0.5?m 1? m 头发丝粗细的百分之一 30~50?m (皮肤细胞的大小) 100nm 我们已进入纳米时代 90nm-32nm工艺已进入规模生产 晶体管本身的宽度只有30-50nm 集成度已达109--1010 发展现状 多层铜互连技术 已实现9层互连， Intel Pentium 840EE 双核处理器采用的是7层互连技术。 发展现状 SOC System On Chip 集成电路走向系统芯片 发展现状 微电子技术发展规律与趋势 微电子发展的规律 发展规律 集成电路芯片的集成度每三年提高 4 倍，而芯片加工特征尺寸每三年缩小 倍。 这就是由Intel公司创始人之一Gordon Moore博士1975年在IEEE的学术年会上提出的，被称为摩尔定律。 1,000,000 100,000 10,000 1,000 10 100 1 1975 1980 1985 1990 1995 2000 2005 2010 8086 80286 i386 i486 Pentium? Pentium? Pro K 1 Billion Transistors Source: Intel Projected Pentium? II Pentium? III Pentium? Ⅳ Pentium? 840EE CPU的晶体管数目遵守摩尔定律的规律 发展规律 存储器的性能和工艺复杂程度也符合摩尔定律 发展规律 由集成电路构成的其它电子系统也同样符合摩尔定律的规律 Digital Cellular Market (Phones Shipped) 1996 1997 1998 1999 2000 Units 48M 86M 162M 260M 435M Analog Baseband Digital Baseband (DSP + MCU) Power Management Small Signal RF Power RF 发展规律 微电子技术是近50年来发展最快的技术 按此比率下降，小汽车价格不到1美分！ 发展规律 Moore定律 ?? 性能价格比 在过去的20年中，改进了100万倍 在今后的20年中，还将改进100万倍 很可能还将持续40年 发展规律 发展趋势 继续增大晶圆尺寸和缩小特征尺寸 集成电路(IC)将发展成为系统芯片(SOC) 新型宽禁带半导体材料开发 微电子技术与其它领域相结合将产生新的产业和新的学科，例如MEMS、DNA芯片等 21世纪硅微电子技术的四个主要发展方向 方向一：继续增大晶圆尺寸和缩小特征尺寸 300mm 450mm 450mm晶圆的出现，除了生产效率大幅度提高的优势外，同时，对集成电路工艺带来极大的挑战，使集成电路工艺发生全面的转型与提升。 集成电路制造工艺流程 Single die Wafer 12〞(300mm) 大生产的硅片直径已从200mm转入300mm， 2015年左右将转入400mm--450mm直径的硅片。 缩小器件的特征尺寸 所谓特征尺寸是指器件中最小线条宽度,常常作为技术水平的标志。对MOS器件而言，通常指器件栅电极所决定的沟道几何长度，是一条工艺线中能加工的最小尺寸，也是设计采用的最小设计尺寸单位（设计规则） 缩小特征尺寸从而提高集成度是提高产品性能/价格比最有效手段之一。只有特征尺寸缩小了，在同等集成度的条件下，芯片面积才可以做得更小,而且可以使产品的速度、可靠性都得到提高，相应成本可以降低。 发展趋势 器件特征尺寸继续缩小带来的挑战 第一个关键技术层次：微细加工 目前0.13?m、90nm、65nm已进入大生产 45nm大生产技术也已经完成开发，具备大生产的条件 当然仍有许多开发与研究工作要做，例如IP模块的开发，为EDA服务的器件模型模拟开发以及基于上述加工工艺的产品开发等 32nm工艺，最关键的加工