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第四章 一维纳米材料 one dimensional nanometer materials • 定义：在两个维度上为纳米尺度的材料 长度：几百纳米至几毫米 • 结构： 横截面： nanobelt 4.1 纳米丝或纳米棒 • 种类： 4.2 纳米管 4.3 同轴纳米电缆 一维纳米材料的制备策略 A) Dictation by the anisotropic B) Confinement by a liquid C) Direction through crystallographic structure of a droplet as in the vapor- the use of a template solid liquid-solid process D) Kinetic control provided E) self-assembly of F) Size reduction of a by a capping reagent 0D nanostructures 1D microstructure 4.1 纳米丝或纳米棒 • 纳米棒(nanorod)：纵横比(长度与直径的比率)小，1m • 纳米丝(线、纤维) ：纵横比大，1m (nanowire, nanowhisker,nanofiber) • 种类：  Si纳米线、铁镍合金纳米线  SiC、Si N 、GaN 3 4  MgO、ZnO  GaAs、InAs、InP、GaP 4.1.1 制备方法 (1) 气相生长合成法 低过饱和度：whisker • 过饱和因子 中过饱和度：bulk crystal (Supersaturation factor) 高过饱和度：powder • 优点：简单易行 ①直接气相法 粉体(如Ga O 、ZnO)直接加热气化生成相应的纳 2 3 米线 ②间接合成法 在纳米线的形成过程中可能涉及到中间产物 (1) 气相生长合成法 例① ：MgO纳米线的制备 MgO+C(H , H O) Mg(V)+CO 2 2 氧化 MgO(Al O , ZnO, 输送至生长区 2 3 SnO ) 2 MgO Mg蒸汽 石墨舟 MgO衬底 两步法有助于降低过饱和度 (1) 气相生长合成法 例② : MgO 纳米线的制备 900℃,氧化 MgB2 H /Ar MgO