第16次课——第7章半导体存储器.pptVIP

再由字扩展方式构成1024×8位RAM，如图7.4.6所示，所以一共用了8片256×4位的RAM。 (2) 当地址码为0011001100,且R/W?=1 时，A9A8=00，256×8(1)组被选中，其他组被封锁。 (3)256×8(1)的地址为（0000000000)B~(0011111111)B ; 256×8(2)的地址为（0100000000)B~(0111111111)B ; 256×8(3)的地址为（1000000000)B~(1011111111)B ; 256×8(4)的地址为（1100000000)B~(1111111111)B 。 作 业 题7.1 题7.6 题7.8 * * * * * * * * * * * b. 擦除（写1）状态 当擦除状态时，在控制栅和位线加高电压脉冲(20V/10ms)，使得浮置栅上存储电荷。当控制栅加正常电压时，Flotox管截止，一个字节被擦除，则这个字节的所有存储单元为1的状态。 c.写入（写0)状态 在写入情况下，令控制栅为0V，同时在在字线和位线上加20V/10ms的脉冲电压，应使写入的那些单元的Flotox管的浮置栅放电，然后在控制栅Gc加正常的＋3V电压，使Flotox管导通，则所存储的内容为0. 注：虽然E2PROM改用电信号擦除，但由于擦除和