第4讲-核辐射探测器的最新进展教学教案.pptVIP

第4讲 核辐射探测器的最新进展;;1.新型核辐射探测器;; 图1 LaBr3(Ce)闪烁体BriLanCe380的发射谱及双碱光电倍增管不同光窗的量子效率 B—硼硅玻璃；W—透紫玻璃；Q石英玻璃;1.2 CdZnTe/CdTe 二十多年的探索与对比而最后胜出的化合物半导体探测器。 决定性的优点：半导体探测器的极高能量分辨率， 可在室温下很好地工作 CdTe/CdZnTe（20％ZnTe，80％CdTe）晶体的原子序数高、禁带能宽大、电阻率高，非常适合探测能量(10～500)keV的光子， 目前的生产工艺可制备体积为(1～2)cm3的CdZnTe/CdTe单晶，探测能量达到1MeV以上 在X射线、γ射线能谱测量方面具有广泛应用前景。 CdZnTe/CdTe晶体性能接近;CdZnTe和CdTe 晶体的基本特性 ;为了充分应用塑料闪烁探测器的大体积、易成型与价格低，以及可大批量生产等优势，近些年来已研制成功多种掺杂塑料闪烁体，用于满足诸如中微子、慢中子与γ探测等特殊需求;1.3.1 含钆(Gd)塑料闪烁体;;1.3.3含氘(D)塑料闪烁体[191] 在塑料闪烁体中，用氘取代氢而制成的塑料闪烁体。 a 中微子ν与氢核的(ν,H)反应，伴随很强的本底。而(ν,D)反应中没有这一本底。 b 快中子与含H物质作用,反冲质子能量分布为以中子最大能量为上限的等几率分布。而快中子与含D物质作用,反冲质子能量分布中出现峰，这可以用于本底甄别，有效探测快中子。 ;1.4 Gd2(SiO4)O:Ce 与Lu2(SiO4)O:Ce; Gd2SiO5:Ce与Lu2(SiO4)O:Ce闪烁体技术数据; 1.5 Bi4Si3O12 --------- 本证晶体----------- BSO 密度,g/cm3： 6.80[7.13] 最强发射波长，nm： 480 最强激发波长，nm： 285 闪烁截止波长，nm： 350 相对闪烁效率[相对BGO]，%： 20[12] 闪烁衰减时间(室温)，ns： 100？ 300 折射率（480nm）： 2.06 2.15 能量分辨率（662keV），%： 30 辐射长度，cm： 1.15 潮解性： 不 发光效率的温度效应，%/K： －2 光电子产额，光电子/MeV： 90 闪烁衰减时间增大20倍;1.6 金刚石探测器--------俄罗斯研制成功一种由金刚石制作的核辐射探测器供应市场。 ПДПС－1K（PDPS－1K）型金刚石探测器，主要用于γ、β与质子剂量测量。 特点：天然金刚石为原材料、灵敏度高、耐辐照、耐高温、组织等效性、灵敏度与射线入射方 向无关与防水性。 技术指标 γ与β射线计量率量程，Gy/min ： 0.05～30 能量响应区间，MeV： γ 0.08～25 β 4～25 灵敏度，C/Gy ： （0.5～5.0）×10-7 转换特性的非线性，％ ： ±2 电压，V ： ＋100 暗电流，A ： ≤5×10-13 灵敏区厚度，mm ： 0.1～0.4 灵敏体积， mm3 ： 1～6 耐辐照，Gy ： 107;2.其他准新型探测器 2.1 Bi4Ge3O12(BGO) 锗酸铋----一种问世仅仅十几年的新型闪烁体，本征晶体。阻止本领高，余辉小,化学性能稳定，机械强度好，现已被广泛采用。主要用于许多γ计数的场合。对BGO的深入研究揭示了其许多特点。 a.BGO的发光机制是Bi3+离子的 3P1态→1So态的电跃迁。因此，BGO的发光机制与NaI(Tl)不同。BGO本身是一种纯闪烁晶体，其发光不受激活剂在晶体中的浓度及分布的均匀性的影响。; b.图2示出BGO在295K时的荧光特性曲线。发