北京大学 半导体物理课件课后习题答案1 考研专业课真题.docVIP

1.请简述你对半导体物理课程的认识、期待和要求 答：略 2.从微电子学科技术中里程碑式的发明事件出发，谈谈你对微电子科学研究发展及创新的认识和体会 答：略 3.什么是原胞？什么是晶体学晶胞？简述晶体的基本特性及表征形式。 答： 原胞是构成晶体的最小重复单元 晶体学晶胞是指能够最大限度反映晶格对称性的最小晶体结构单元 晶体的基本特性主要有以下三个：周期性、对称性、方向性 其中原胞和晶胞都可表征周期性，对称性用晶胞来表征，方向性由晶向和晶面表征 4.简述Si晶体中的原子结合及其晶体结构特征，并讨论两者的内部关联性 答： Si晶体中Si原子依靠共价键结合成正四面体的金刚石结构，Si原子的电子组态为(1s)2(2s)2(2p)6(3s)2(3p)2,在形成共价键的过程中，3s态的一个电子跃迁到3p态，最外层的四个未配对的电子（1个3s态电子和3个3p态电子）进行SP3杂化形成四个完全等价的杂化轨道，与相邻原子的价电子形成共价键，四个共价键在空间方向完全等价，具有正四面体的结构特征，成键Si原子处于正四面体中心，其他四个与之成键的原子处在正四面体的四个顶点上，所形成的共价键键角109。28‘。因此，Si晶体具有以正四面体为基础构成的金刚石结构。金刚石结构可看作由两个面心立方沿对角线1/4套构而成，其中Si原子与最近邻的4个原子所处的环境不同，因此，Si晶体格子为复式格子。 5.证明在立方晶体中Miller指数相同的晶向和晶面互相垂直 答： 设晶向的Miller指数为[hkl],晶面的Miller指数为(h，k，l),立方晶体的晶格长数a，则晶面在xyz轴上的截距分别为a/h,a/k,a/l,则晶面为，即hx＋ky＋lz＝a，可以得到晶面的法向量方向为（h，k，l），与晶向平行，因此在立方晶体中Miller指数相同的晶向和晶面互相垂直。 6.简述有效质量近似所包含的物理意义和引入有效质量的作用 答：把晶体的在周期势场作用下运动的电子和空穴，等效看成一个自由运动的准粒子，则该准粒子具有的质量称为有效质量。有效质量是描述半导体中自由导电的准粒子（电子和空穴）的特征量，实际概括了晶体势场及其各载流子间的相互作用，这样，在计算电子或空穴运动状态时，可以简化处理，使运算简单。 7．有一维晶体的电子能带可以写成其中a是晶格常数，试求： 1）电子在波矢k状态的速度 2）能带底部和顶部的有效质量 解： 1）对于一维晶体 2） coska [-1,1],有coska＝－1时原式取最大值，ka＝(2m+1),mZ,在能能带顶，能带顶有效质量为： coska＝1时原式取最小值，ka＝2m,mZ,在能能带底，能带底有效质量为： 8．设有两种半导体，两者的价带顶空穴的有效质量有以下关系m1＝3m2，定性画出两者E-k关系图. 解：，其中越大，则越小，开口越大，定性有以下E－k图： Ek Ek k k m1 m1 m2 m2 9.从能带论出发，简述半导体能带的基本特征，利用能带论分析讨论为什么金属和半岛体的电导率是不同的温度依赖性 答：根据能带理论，晶体中电子的能量允许值呈带状分布，能带间存在禁带。全满和全空的能带对晶体的导电性没有贡献。对于半导体，在0k时，各能带被电子填充的状况是，能量较低的能带是被电子完全填充的，而能量较高的能带则是完全没有被电子填充的两种情形，其中，被完全填充的能量最高的带称为价带，未被电子填充的能量最低的带称为导带。而对于金属，在0k时，被电子填充的能量最高的能带是部分填充的。因此，在0K时，金属具有导电性，半导体不具有导电性。 在T?0k时，半导体中的电子因热运动而具有能量，由于能量的涨落部分价带电子能跃迁到导带中，这样就出现了导带不全空，价带不全满的情形，从而使得半导体具有导电能力，温度越高，电子的平均能量也越高，能跃迁至导带的电子也越多，半导体的导电能力增强。而对电子来说，热运动导致了晶格的热振动，晶格的振动引起了电子的散射，使电子的运动方向随时发生了变化。 电子运动方向发生变化，说明电子与晶格之间发生了能量和动量的交换，可以把电子与晶格之间的相互作用, 看成是电子与声子之间的相互碰撞，温度升高，金属中的自由电子数目没有多大变化，而金属离子振动加强，电子和声子的相互作用加强，电子散射加强，因而电阻率增大，导电能力减弱。 10．假设，在理想半导体Si中掺入五价杂质P，其中4个价电子与周围4个Si原子形成共价键，第5个未